公开(公告)号：CN108231910A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201810135078.2

申请日：2018-02-09

Applicant: 沈阳工程学院

Inventor： 李双美 ,  张东 ,  何乔 ,  赵志刚

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/45 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06

Abstract: 一种柔性基片衬底的异质结构薄膜及其制备方法，属于薄膜制备技术领域。该薄膜从下到上依次包括聚酰亚胺柔性衬底层、第一导电薄膜、Ga2O2材料层、VO2材料层、第二导电薄膜及抗腐蚀保护层。本发明采用聚酰亚胺(PI)材料作为衬底基片，采用Ga22O2作为缓冲层，采用AZO作为器件的导电电极，蒸镀TiN材料作为抗腐蚀保护层，可以缓解聚酰亚胺与VO2材料晶格失配大的难题，可以制备出高质量的VO2材料，导电性能大幅度提高、电阻率降低，TiN薄膜与AZO透明导电薄膜的融合度高，有效解决了器件的腐蚀问题，进一步提高了器件的使用寿命。该制备工艺简单，可实现规模生产。

公开(公告)号：CN208189597U

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201820234722.7

申请日：2018-02-09

Applicant: 沈阳工程学院

Inventor： 李双美 ,  张东 ,  何乔 ,  李关民 ,  王敏

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/45 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06

Abstract: 一种柔性基片衬底的异质结构器件，属于电子器件技术领域。该器件从下到上依次包括聚酰亚胺柔性衬底层、第一导电薄膜层、Ga2O3材料层、VO2材料层、第二导电薄膜层及抗腐蚀保护层。本实用新型采用聚酰亚胺(PI)材料作为衬底基片，采用Ga2O3作为缓冲层，采用AZO作为器件的导电电极，蒸镀TiN材料作为抗腐蚀保护层，可以缓解聚酰亚胺(PI)与VO2材料晶格失配大的难题，可以制备出高质量的VO2材料，导电性能大幅度提高、电阻率降低，TiN薄膜与AZO透明导电薄膜的融合度高，有效解决了器件的腐蚀问题，进一步提高了器件的使用寿命。该器件功率大，可实现规模生产。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利