公开(公告)号：CN118724064A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410716812.X

申请日：2024-06-04

Applicant: 江门双碳实验室

Inventor： 刘雅杰 ,  慕飞燕 ,  邰志新

IPC: C01G39/06 ,  H01M4/58 ,  H01M10/054 ,  C01G23/00 ,  C01G41/00 ,  C01G51/00 ,  C01G30/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开一种具有硫空位点缺陷的过渡金属硫化物的制备方法及其应用。所述制备方法创造性地采用了一种分步式剥离技术即二次剥离技术实现制备具有硫空位点缺陷的少层二维材料，在二次剪切剥离过程中，剪切剥离在维持过渡金属硫化物的晶体结构的前提下，可实现材料层与层的分离和硫空位点缺陷的形成，制备得到的具有点缺陷的TMDs负极材料，有效促进了钠离子扩散，增加了钠离子的存储位点，从而使该材料在组装的钠离子电池中呈现出优异的电化学性能。采用剪切剥离技术制备具有点缺陷的TMDs的方法简易可行，适用于规模化生产制备，且制备的材料在动力电池和催化领域均具有较大的应用前景。