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公开(公告)号：CN115976484B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202211696268.4
申请日：2022-12-28
Applicant: 江苏芯德半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种溅射工艺稳定性评估方法，在假片上设置均匀分布的点位，通过PVD工艺在假片的二氧化硅所在面沉积金属，用金属膜厚测量仪测量各个点位的金属膜厚；采用SPC方法进行溅射工艺稳定性评估，对溅射的金属膜厚进行监控，要求每次得到的金属膜厚均值处于控制线（a，b）范围内，金属膜厚标准差处于控制线（c，d）范围内，如超出控制线则需要复测或排查原因。本发明实现了同一假片上多点测量，并且将测量数据制作为SPC的均值控制图和标准差控制图，通过若干组多点数据形成的SPC控制线评估溅射的均匀性，在评估溅射工艺稳定性时，组内样本量大，减小了测量的误差，因此评估结果快捷准确。
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