基于多维检测反馈的外延前晶圆表面处理动态优化系统

    公开(公告)号:CN118969684B

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411433986.1

    申请日:2024-10-15

    Abstract: 本申请提供了基于多维检测反馈的外延前晶圆表面处理动态优化系统,涉及半导体制造技术领域,通过表面密度填充度评估单元确定晶圆外延工艺的外延层,以外延层的信息进行评估,确定外延层的表面密度填充度;表面材料信息检测单元检测待外延晶圆的表面材料信息;表面处理粒度优化单元结合表面密度填充度,根据表面处理匹配模块对表面材料信息进行映射匹配,确定待外延晶圆的表面处理粒度;表面处理执行单元调控晶圆表面处理装置按照优化后的表面处理粒度对待外延晶圆的表面进行处理。本申请解决了现有表面处理工艺通常采用静态参数设置,难以适应材料特性的微小变化,导致处理结果不稳定的技术问题,达到了提高晶圆表面处理质量和效率的技术效果。

    一种芯片刻蚀工艺优化方法及系统

    公开(公告)号:CN118588605A

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202411062449.0

    申请日:2024-08-05

    Abstract: 本发明属于芯片刻蚀管理技术领域,具体是一种芯片刻蚀工艺优化方法及系统,包括处理器、刻蚀采集传输模块、刻蚀优化决策模块、优化方案执行模块、优化管理评估模块以及刻蚀监管端;本发明通过刻蚀采集传输模块实时采集芯片刻蚀过程中的各项参数,刻蚀优化决策模块基于芯片刻蚀过程中的各项参数数据进行分析以生成相对应的优化方案,优化方案执行模块基于优化方案对刻蚀过程进行适应性调控,实现对刻蚀工艺参数的精确控制和动态调整,且通过优化效果评估模块合理分析并准确判断检测时期内针对芯片的刻蚀表现状况,以及时提醒管理人员作出相应改善措施,从而保证后续的芯片刻蚀效果和生产效率,智能化程度高。

    一种嵌入结构蝶形引入光缆

    公开(公告)号:CN116577892B

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202310862161.0

    申请日:2023-07-14

    Abstract: 本发明属于光缆领域,尤其是涉及一种嵌入结构蝶形引入光缆,具有外护层和缆芯,其特征在于:所述缆芯由四个加强限位部件和十二个子单元构成,同一横截面内,加强限位部件具有四个顶角,相邻两个顶角之间形成一段向中间凹进的弧,四个加强限位部件的中心位于同一个大正方形的四个顶点上,每个加强限位部件的弧都贴合有一个子单元,相邻两个加强限位部件之间共用一个子单元,子单元内设有蝶形单元,本发明具有抗压性能强、对蝶形单元的保护更好、生产效率高、次品率低、结构稳定、便于敷设、成本低等有益效果。

    一种用于电缆加工的切断设备

    公开(公告)号:CN115178690B

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202211117588.X

    申请日:2022-09-14

    Abstract: 本发明涉及电缆加工附属装置的技术领域,特别是涉及一种用于电缆加工的切断设备,包括框体,框体内部滑动设置有两个切刀,两个切刀方向相对,切刀上设置有两个导向孔,两个导向孔位置对称,两个导向孔内均滑动设置有导向柱,两个导向柱的同一侧端部均固定设置有夹持座,两个夹持座方向相对,导向孔由第一孔和第二孔组成,第一孔为倾斜状态,第二孔为竖直状态。本发明中通过两个相对移动的切刀对电缆进行切断,在切刀与电缆接触并开始切断之前,先对电缆进行稳定的夹紧固定,使得电缆在切断的过程中不会发生位移,电缆的切面平整度高,毛刺极少,省去了后续处理的工序,省时省力,工作效率高。

    一种用于电缆加工的切断设备

    公开(公告)号:CN115178690A

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202211117588.X

    申请日:2022-09-14

    Abstract: 本发明涉及电缆加工附属装置的技术领域,特别是涉及一种用于电缆加工的切断设备,包括框体,框体内部滑动设置有两个切刀,两个切刀方向相对,切刀上设置有两个导向孔,两个导向孔位置对称,两个导向孔内均滑动设置有导向柱,两个导向柱的同一侧端部均固定设置有夹持座,两个夹持座方向相对,导向孔由第一孔和第二孔组成,第一孔为倾斜状态,第二孔为竖直状态。本发明中通过两个相对移动的切刀对电缆进行切断,在切刀与电缆接触并开始切断之前,先对电缆进行稳定的夹紧固定,使得电缆在切断的过程中不会发生位移,电缆的切面平整度高,毛刺极少,省去了后续处理的工序,省时省力,工作效率高。

    一种芯片刻蚀工艺优化方法及系统

    公开(公告)号:CN118588605B

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202411062449.0

    申请日:2024-08-05

    Abstract: 本发明属于芯片刻蚀管理技术领域,具体是一种芯片刻蚀工艺优化方法及系统,包括处理器、刻蚀采集传输模块、刻蚀优化决策模块、优化方案执行模块、优化管理评估模块以及刻蚀监管端;本发明通过刻蚀采集传输模块实时采集芯片刻蚀过程中的各项参数,刻蚀优化决策模块基于芯片刻蚀过程中的各项参数数据进行分析以生成相对应的优化方案,优化方案执行模块基于优化方案对刻蚀过程进行适应性调控,实现对刻蚀工艺参数的精确控制和动态调整,且通过优化效果评估模块合理分析并准确判断检测时期内针对芯片的刻蚀表现状况,以及时提醒管理人员作出相应改善措施,从而保证后续的芯片刻蚀效果和生产效率,智能化程度高。

    一种衍射光波导输出图像校正方法及系统

    公开(公告)号:CN118505826A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410964675.1

    申请日:2024-07-18

    Abstract: 本发明涉及衍射光波导技术领域,具体涉及一种衍射光波导输出图像校正方法及系统,用于解决现有的衍射光波导输出图像校正方法无法对衍射光波导输出图像的图像质量和异常程度进行精确判断,且对衍射光波导输出图像的图像无法自动校正,导致图像质量不佳,影响显示效果的问题;该系统通过采集衍射光波导的输入图像和输出图像的相关数据,并基于数据分析技术对输出图像的图像质量和异常程度进行精确判断,实现了异常报警以及图像自动校正,能够有效解决衍射光波导输出图像的输出异常问题,减少色散现象,提高图像的色彩还原度,提升图像的质量,提高了衍射光波导技术的显示效果,对于推动AR、VR等领域的发展具有重要意义。

    基于快速响应决策的芯片生产控制方法及系统

    公开(公告)号:CN117238814B

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202311511779.9

    申请日:2023-11-14

    Abstract: 本发明涉及半导体芯片生产技术领域,提供了基于快速响应决策的芯片生产控制方法及系统,包括:交互用户端,接收介电层沉淀需求信息;标定反应物类型列表;根据介电层需求厚度和沉淀晶圆面积,标定并生成反应物损耗量列表;计算反应约束速率,设定腔体反应条件和反应物浓度;获取反应腔体加热点位,温度分布仿真生成温度仿真分区结果,位置优化生成基体推荐位置,进行介电层沉淀控制,解决反应腔体的温度分布不均匀,难以实时控制,导致芯片生产质量无法保障技术问题,实现精确控制反应条件和反应物浓度,通过温度分布仿真,提高温度控制精度,提高反应稳定性,快速响应芯片生产过程的变化,进而提高芯片生产的效率和质量技术效果。

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