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公开(公告)号：CN116102354B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202211384913.9
申请日：2022-11-07
Applicant: 江苏核电有限公司 , 中国核动力研究设计院
IPC: C04B35/52 , C04B35/565 , C04B35/622 , F16C33/16
Abstract: 本申请属于核技术领域，具体涉及一种用于主泵轴瓦的组合物及其制备方法。该组合物，包括：石墨、SiC和游离Si三相；其中，所述石墨的含量大于或等于40wt％；所述SiC的含量大于或等于40wt％；所述游离Si的含量小于或等于20wt％，满足该配方成分的渗硅石墨材料能够满足轴向载荷较大的主泵基本运行要求。
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公开(公告)号：CN116102354A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211384913.9
申请日：2022-11-07
Applicant: 江苏核电有限公司 , 中国核动力研究设计院
IPC: C04B35/52 , C04B35/565 , C04B35/622 , F16C33/16
Abstract: 本申请属于核技术领域，具体涉及一种用于主泵轴瓦的组合物及其制备方法。该组合物，包括：石墨、SiC和游离Si三相；其中，所述石墨的含量大于或等于40wt％；所述SiC的含量大于或等于40wt％；所述游离Si的含量小于或等于20wt％，满足该配方成分的渗硅石墨材料能够满足轴向载荷较大的主泵基本运行要求。
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公开(公告)号：CN110483055B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910727806.3
申请日：2019-08-08
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: C04B35/577 , C04B35/80 , C04B35/628
Abstract: 本发明公开了一种含共沉积复相界面的SiCf/SiC复合材料制备方法，包括以下步骤：采用CVI工艺对SiC纤维预制体进行界面沉积，以丙烯为碳源气体、以三氯甲基硅烷为碳化硅源气体进行共沉积；载气为氢气，稀释气体为氩气和氢气；利用CVI工艺对完成界面沉积的SiC纤维预制体进行SiC基体沉积，碳化硅源气体为三氯甲基硅烷，载气为氢气，稀释气体为氩气和氢气。制备获得的SiCf/SiC复合材料，在纤维与基体之间为PyC‑SiC复相界面，PyC‑SiC复相界面是共沉积形成的、由SiC纳米晶和热解炭相PyC组成的复相界面。本发明提供的制备方法，主要包括利用CVI共沉积制备PyC‑SiC复相界面以及SiC基体的致密化两个主要步骤，界面制备更容易控制且制备效率也更高；所制备的SiCf/SiC复合材料的强韧性得到进一步提高。
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公开(公告)号：CN111951991A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010543464.2
申请日：2020-06-15
Applicant: 西安交通大学 , 上海核工程研究设计院有限公司 , 中国核动力研究设计院
IPC: G21C21/08
Abstract: 本发明公开了一种基于3D打印的核燃料元件密封成形方法，属于核电技术领域，采用SiC作为燃料元件的包壳材料，通过3D打印方法和激光熔覆技术，在包壳和端塞间形成密封圈，包壳采用SiC陶瓷材料，SiC密封圈与SiC包壳形成良好的匹配，能保证包壳和端塞密封性能，降低燃料芯体的运行温度和堆芯储能，提高棒状核燃料元件的安全性。本发明设计合理，操作简便，密封圈与SiC包壳形成良好匹配，可有效提高棒状核燃料元件的密封性能。
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公开(公告)号：CN110483055A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910727806.3
申请日：2019-08-08
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: C04B35/577 , C04B35/80 , C04B35/628
Abstract: 本发明公开了一种含共沉积复相界面的SiCf/SiC复合材料制备方法，包括以下步骤：采用CVI工艺对SiC纤维预制体进行界面沉积，以丙烯为碳源气体、以三氯甲基硅烷为碳化硅源气体进行共沉积；载气为氢气，稀释气体为氩气和氢气；利用CVI工艺对完成界面沉积的SiC纤维预制体进行SiC基体沉积，碳化硅源气体为三氯甲基硅烷，载气为氢气，稀释气体为氩气和氢气。制备获得的SiCf/SiC复合材料，在纤维与基体之间为PyC-SiC复相界面，PyC-SiC复相界面是共沉积形成的、由SiC纳米晶和热解炭相PyC组成的复相界面。本发明提供的制备方法，主要包括利用CVI共沉积制备PyC-SiC复相界面以及SiC基体的致密化两个主要步骤，界面制备更容易控制且制备效率也更高；所制备的SiCf/SiC复合材料的强韧性得到进一步提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117088699A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311042378.3
申请日：2023-08-18
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: C04B35/78 , C04B35/52 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种原位生长的SiC增强石墨基复合材料及其制备方法，属于轴瓦材料技术领域。其包括：真空条件下，熔融的单质硅粉在毛细作用下进入到石墨的孔隙内接触并发生硅化反应原位生成碳化硅，得到含游离单质硅的SiC增强石墨基复合材料。本发明提供的SiC增强石墨基复合材料，以单质硅和石墨为原料，将熔融的液态单质硅粉在毛细作用下进入石墨内部的孔隙内，与孔隙边界上的是石墨发生硅化反应，沿着石墨孔隙表面原位生成一定厚度的碳化硅层，这层碳化硅沿着单质硅的流道成高强度的三维网格分布，剩余没有发生反应的硅单质就填充在剩余的空隙中，石墨基体以及硅单质填充相的多组份三维网络密实增强复合材料，压缩强度性能表现优异。
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公开(公告)号：CN116690809A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310499486.7
申请日：2023-05-06
Applicant: 大连理工大学 , 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明属于陶瓷基复合材料加工技术领域，提出一种细长薄壁陶瓷基复合材料管材内孔加工装置，该加工装置包括特殊柔性刀具、夹紧执行系统、通料模块、进给运动系统，特殊柔性刀具由开有多个小孔的软管构成，通料模块包括磨料泵、通料细管、双向接头、磨料箱，进给系统包括电机和收放管机。磨料泵入至均匀流出后，启动机床至稳定转速，转动收放管机将特殊柔性刀具反复进行收放拉动，完成对薄壁陶瓷基复合材料的内孔磨削。本发明解决了传统加工方式加工细长薄壁陶瓷基复合材料零件内孔过程产生变形和切削颤振以及冷却润滑、排屑断屑困难，刀具磨损剧烈且管材定位夹紧变形的问题，适用于薄壁陶瓷基复合材料内孔加工高温导致零件发生热胀变形的问题。
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公开(公告)号：CN110415845B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910722437.9
申请日：2019-08-06
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种高铀密度复合燃料芯块及其制备方法，解决了目前UO2燃料在遭遇意外事故工况下，堆芯温度存在急剧升高的风险；而UN燃料的热导率虽然能随着温度升高而提高，但是其与水的反应性导致并不适用于水冷反应堆的问题。本发明公开了一种高铀密度复合燃料芯块，包括25～35wt％的U3Si2粉末和65～75wt％的UN微球；本发明还公开了该高铀密度复合燃料芯块的制备方法。本发明不仅仅能够达到使热导率随着温度升高而提高的效果，并且还能适用于水冷反应堆。
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公开(公告)号：CN110428918B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201910727873.5
申请日：2019-08-08
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G21C21/00 , G21C3/07 , C23C16/32 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种高致密度复合材料包壳管的快速致密化方法，依次包括以下工序：工序A，沉积温度为1000～1050℃，沉积压力为200～1000Pa，H2/MTS的摩尔体积配比在6.5～10范围；工序B，沉积温度为1050～1100℃，沉积压力为200～1000Pa，H2/MTS的摩尔体积配比在6.5～10范围；工序C，沉积温度为1050～1100℃，沉积压力为400～1500Pa，H2/MTS的摩尔体积配比在6.5～10范围；工序D，沉积温度为1050～1200℃，沉积压力为400～1500Pa，H2/MTS的摩尔体积配比在4～10范围。实施上述快速致密化方法的装置，包括依次连接的导气管、气体混合滞留罐、基座、限域反应器和盖板。采用本发明提供的工艺及装置获得的SiCf/SiC复合材料包壳管制备周期大幅缩短，且其具有致密度高、基体分布均匀的有益效果。
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公开(公告)号：CN112876257A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110110002.6
申请日：2021-01-27
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: C04B35/577 , C04B35/80 , C04B35/622 , C04B35/628
Abstract: 本发明公开了一种SiCf/SiC复合材料两层复合包壳管及其制备方法，解决了现有的化学气相渗透制备的SiCf/SiC复合材料致密化程度低，出现大孔洞，孔隙率较大且热导率偏低的技术问题。本发明的SiCf/SiC复合材料两层复合包壳管，包括SiCf/SiC复合层和SiC陶瓷层，所述SiCf/SiC复合层包括SiC纤维层、界面层和SiC基体，所述界面层采用化学气相渗透制备。本发明的SiCf/SiC复合材料两层复合包壳管具有密度高、孔隙率低，气密性和导热性好等优点。
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