一种TiO2半导体光阳极的微弧氧化制备方法

    公开(公告)号:CN104846414A

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201510182840.9

    申请日:2015-04-17

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明涉及微弧氧化技术,特指一种在FTO玻璃表面制备燃料敏化太阳能电池用TiO2半导体光阳极的方法。首先对FTO玻璃进行除油去污清洗,即在乙醇和丙酮中进行超声清洗,最后用去离子水超声清洗,烘干代用;采用镀膜机在FTO玻璃表面上镀纯钛膜;对表面镀有钛膜额FTO玻璃进行微弧氧化处理;将表面生成了微弧氧化膜的FTO玻璃进行清洗和干燥,其特征在于:在0.1-1mol/L的硫酸铵或者0.1-1mol/L的硫酸溶液中进行微弧氧化。

    一种TiO<base:Sub>2</base:Sub>半导体光阳极的微弧氧化制备方法

    公开(公告)号:CN104846414B

    公开(公告)日:2017-07-18

    申请号:CN201510182840.9

    申请日:2015-04-17

    Applicant: 江苏大学

    Abstract: 本发明涉及微弧氧化技术,特指一种在FTO玻璃表面制备燃料敏化太阳能电池用TiO2半导体光阳极的方法。首先对FTO玻璃进行除油去污清洗,即在乙醇和丙酮中进行超声清洗,最后用去离子水超声清洗,烘干代用;采用镀膜机在FTO玻璃表面上镀纯钛膜;对表面镀有钛膜额FTO玻璃进行微弧氧化处理;将表面生成了微弧氧化膜的FTO玻璃进行清洗和干燥,其特征在于:在0.1‑1mol/L的硫酸铵或者0.1‑1mol/L的硫酸溶液中进行微弧氧化。

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