公开(公告)号：CN103424461A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310240566.7

申请日：2013-06-17

Applicant: 江苏大学

Inventor： 郝臣 ,  白毅 ,  张鹏飞 ,  王晓红 ,  赵玉涛 ,  周鹏 ,  恽悦 ,  周瑞

IPC: G01N27/42

Abstract: 本发明公开了一种依赖电沉积曲线分析沉积膜质量的方法，具体包括如下步骤；首先配前驱体溶液作为电解液，采用传统的三电极体系，以导电玻璃为工作电极，铂电极为辅助电极，饱和甘汞电极为参比电极，在一定的沉积温度、沉积电位下进行电沉积，在一定的沉积时间下得到沉积膜的i-t曲线，依据电沉积曲线电流的变化判断沉积膜的质量。本发明方法操作简单，快速准确，极大的提高了工作效率。

公开(公告)号：CN104198560B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201410411426.6

申请日：2014-08-20

Applicant: 江苏大学

Inventor： 郝臣 ,  沈毓儒 ,  周瑞 ,  恽悦 ,  徐军浩 ,  周敏 ,  冯峰 ,  白毅 ,  王晓红

IPC: G01N27/333 ,  G01N27/30

Abstract: 本发明涉及一种半导体薄膜的制备方法，特指一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛复合膜的制备方法，属于半导体技术领域。本发明采用聚苯乙烯微球为模板电沉积制得多孔二氧化钛薄膜，除去模板后通过洗涤、过滤、干燥、煅烧后得锐钛矿二氧化钛，再在薄膜上循环伏安沉积石墨烯即得到石墨烯修饰的多孔二氧化钛薄膜。该方法工艺简单，对人或环境无危害，价格低廉，易于控制，石墨烯层能覆盖在二氧化钛上，适合大规模工业化生产。

公开(公告)号：CN104198560A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410411426.6

申请日：2014-08-20

Applicant: 江苏大学

Inventor： 郝臣 ,  沈毓儒 ,  周瑞 ,  恽悦 ,  徐军浩 ,  周敏 ,  冯峰 ,  白毅 ,  王晓红

IPC: G01N27/333 ,  G01N27/30

Abstract: 本发明涉及一种半导体薄膜的制备方法，特指一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛复合膜的制备方法，属于半导体技术领域。本发明采用聚苯乙烯微球为模板电沉积制得多孔二氧化钛薄膜，除去模板后通过洗涤、过滤、干燥、煅烧后得锐钛矿二氧化钛，再在薄膜上循环伏安沉积石墨烯即得到石墨烯修饰的多孔二氧化钛薄膜。该方法工艺简单，对人或环境无危害，价格低廉，易于控制，石墨烯层能覆盖在二氧化钛上，适合大规模工业化生产。