一种基于电荷俘获-释放机制的电路PBTI老化建模方法

    公开(公告)号:CN106295009A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610662498.7

    申请日:2016-08-12

    Abstract: 本发明公开了一种基于电荷俘获-释放机制的电路PBTI老化建模方法,其特征在于:包括基于T-D机制的BTI老化模型的建立、T-D机制下的电路老化时延模型的建立、MatLab仿真实验和T-D机制下的电路老化时延模型的验证步骤。本发明提出的模型与Hspice仿真得出的结果有较好的吻合度,验证了实验模型的准确性;通过实验对电路设计中关键路径时序余量设置进行计算,结果表明,与传统的模型比较,基于本文模型计算,在保证同样电路可靠性的前提下,所需设置的时序余量较小,可以在一定程度上减小电路抗老化设计产生的面积开销。

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