抑制宝华玉兰初代培养内生菌污染的培养方法及培养基

    公开(公告)号:CN111448988B

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN202010417890.1

    申请日:2020-05-18

    Abstract: 本发明公开了一种抑制宝华玉兰初代培养内生菌污染的培养方法及培养基。本发明所述的培养方法,包含预处理,所述预处理为将外植体浸没于100‑200mg/L硫酸新霉素的无菌水溶液中,浸没时间为12‑36h,所述外植体为宝华玉兰当年生萌蘖枝条。本发明采用宝华玉兰当年生萌蘖枝条为外植体,通过外植体无菌处理后,将外植体接种于初代培养芽诱导培养基上,置于合适的温度、湿度和光照强度条件下进行培养,诱导芽的萌发。本发明的抑菌率达到100%,芽诱导率100%,死亡率为0,褐化率为0,且丛生芽生长健壮。

    抑制宝华玉兰初代培养内生菌污染的培养方法及培养基

    公开(公告)号:CN111448988A

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN202010417890.1

    申请日:2020-05-18

    Abstract: 本发明公开了一种抑制宝华玉兰初代培养内生菌污染的培养方法及培养基。本发明所述的培养方法,包含预处理,所述预处理为将外植体浸没于100-200mg/L硫酸新霉素的无菌水溶液中,浸没时间为12-36h,所述外植体为宝华玉兰当年生萌蘖枝条。本发明采用宝华玉兰当年生萌蘖枝条为外植体,通过外植体无菌处理后,将外植体接种于初代培养芽诱导培养基上,置于合适的温度、湿度和光照强度条件下进行培养,诱导芽的萌发。本发明的抑菌率达到100%,芽诱导率100%,死亡率为0,褐化率为0,且丛生芽生长健壮。

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