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公开(公告)号:CN112201753B
公开(公告)日:2021-03-23
申请号:CN202011380510.8
申请日:2020-12-01
Applicant: 江汉大学
Abstract: 本发明涉及一种有机电存储器件及其制备方法。该有机电存储器件,从下至上依次包括:底电极层、有机层和顶电极层;所述有机层由聚乙烯咔唑和稠环按照质量比(1‑10):(0.1‑1)共混制得。该制备方法,包括以下步骤:将聚乙烯咔唑与稠环的混合物溶于溶剂中得到浓度为1‑100mg/ml的溶液;将所述溶液滴加在底电极层上并分散均匀,真空干燥除去残余溶剂得到有机层;通过真空蒸镀法将顶电极层附着在所述有机层上得到所述有机电存储器件。本发明提出的有机电存储器件的开关电流比高达104‑105。
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公开(公告)号:CN112201753A
公开(公告)日:2021-01-08
申请号:CN202011380510.8
申请日:2020-12-01
Applicant: 江汉大学
Abstract: 本发明涉及一种有机电存储器件及其制备方法。该有机电存储器件,从下至上依次包括:底电极层、有机层和顶电极层;所述有机层由聚乙烯咔唑和稠环按照质量比(1‑10):(0.1‑1)共混制得。该制备方法,包括以下步骤:将聚乙烯咔唑与稠环的混合物溶于溶剂中得到浓度为1‑100mg/ml的溶液;将所述溶液滴加在底电极层上并分散均匀,真空干燥除去残余溶剂得到有机层;通过真空蒸镀法将顶电极层附着在所述有机层上得到所述有机电存储器件。本发明提出的有机电存储器件的开关电流比高达104‑105。
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公开(公告)号:CN112186117A
公开(公告)日:2021-01-05
申请号:CN202011348152.2
申请日:2020-11-26
Applicant: 江汉大学
Abstract: 本发明公开了一种交流驱动型量子点发光二极管及其制备方法,该交流驱动型量子点发光二极管包括依次层叠设置的阳极基板、介电层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和金属阴极层;量子点发光层是量子点溶液和有机绝缘聚合物溶液制成的共混薄膜。本发明通过引入介电层,有效阻挡并储存来自电极的载流子,随着交流电压的频率变换对注入器件的电荷进行调控,使器件能够在交流电压驱动下正常工作,而无需增加交‑直流转换装置;通过在量子点发光层中引入有机绝缘聚合物,钝化量子点表面的缺陷,使载流子传输密度得到显著提升,电子和空穴的复合更为充分,从而使发光二极管的发光性能显著提高。
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公开(公告)号:CN112186117B
公开(公告)日:2021-03-23
申请号:CN202011348152.2
申请日:2020-11-26
Applicant: 江汉大学
Abstract: 本发明公开了一种交流驱动型量子点发光二极管及其制备方法,该交流驱动型量子点发光二极管包括依次层叠设置的阳极基板、介电层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和金属阴极层;量子点发光层是量子点溶液和有机绝缘聚合物溶液制成的共混薄膜。本发明通过引入介电层,有效阻挡并储存来自电极的载流子,随着交流电压的频率变换对注入器件的电荷进行调控,使器件能够在交流电压驱动下正常工作,而无需增加交‑直流转换装置;通过在量子点发光层中引入有机绝缘聚合物,钝化量子点表面的缺陷,使载流子传输密度得到显著提升,电子和空穴的复合更为充分,从而使发光二极管的发光性能显著提高。
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