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公开(公告)号：CN117811321A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311665019.3
申请日：2023-12-06
Applicant: 江南大学
IPC: H02M1/08 , H02M1/00 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种基于SiC‑MOSFET的自举式无源钳位驱动电路，属于第三代宽禁带半导体碳化硅器件的驱动技术领域。该电路使用无源组件以控制简化驱动器，通过设置正负串扰抑制电路在电路工作的不同阶段提供不同的电流通路实现同时对正向串扰和反向串扰的抑制作用；该电路还通过在自举电路中设置自举充放电电荷收集电容C1，正负串扰抑制电路中设置栅极电荷平衡电容C2，在SiC‑MOSFET开关导通期间对其寄生电容Cgs进行电荷充放，以此来平衡其在栅极处积累的多余的电荷，并将其多余的电荷收集至C1中，形成三个电容存储和收集电荷相互平衡的状态，提高电荷在栅极回路中的利用率，进而提高驱动的效率。
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公开(公告)号：CN117673188B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202311653005.X
申请日：2023-12-05
Applicant: 江南大学
IPC: H10F30/227 , H10F77/124 , H10F71/00
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称肖特基势垒的自驱动日盲紫外探测器，属于半导体器件制造技术领域。紫外探测器从下而上依次包括：衬底层、AlN缓冲层、Al0.65Ga0.35N层、Al0.4Ga0.6N有源层、Al0.55Ga0.45N势垒层和金属电极层。本发明通过仅在一侧的电极与Al0.4Ga0.6N有源层之间插入Al0.55Ga0.45N势垒层，构成不对称的MSM结构，利用不同的势垒高度诱导能带弯曲，形成不对称的能带，显著促进光生载流子的分离和输运，从而解决了对称MSM结构探测器高功耗的问题，实现了自驱动特性。形成的不对称的异质结构，增强了Al0.4Ga0.6N层的极化场，进而增加光电流的产生，大幅度提高了0V下的响应度。此外，本发明的制造的外延结构螺位错密度较低，从而器件获得超低的暗电流，提高了器件的灵敏度。
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公开(公告)号：CN117673188A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311653005.X
申请日：2023-12-05
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称肖特基势垒的自驱动日盲紫外探测器，属于半导体器件制造技术领域。紫外探测器从下而上依次包括：衬底层、AlN缓冲层、Al0.65Ga0.35N层、Al0.4Ga0.6N有源层、Al0.55Ga0.45N势垒层和金属电极层。本发明通过仅在一侧的电极与Al0.4Ga0.6N有源层之间插入Al0.55Ga0.45N势垒层，构成不对称的MSM结构，利用不同的势垒高度诱导能带弯曲，形成不对称的能带，显著促进光生载流子的分离和输运，从而解决了对称MSM结构探测器高功耗的问题，实现了自驱动特性。形成的不对称的异质结构，增强了Al0.4Ga0.6N层的极化场，进而增加光电流的产生，大幅度提高了0V下的响应度。此外，本发明的制造的外延结构螺位错密度较低，从而器件获得超低的暗电流，提高了器件的灵敏度。
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公开(公告)号：CN221597848U
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202420064351.8
申请日：2024-01-10
Applicant: 江南大学
Abstract: 本实用新型涉及逆变系统主机技术领域，尤其为一种微型太阳能逆变系统主机，包括底板和限向滑槽，底板上端内侧开设有限向滑槽，限向滑槽内侧滑动连接有限向滑块，限向滑块上端固定连接有主机本体，底板内侧开设有气槽，底板内侧固定连接有空心固定柱，空心固定柱上端内侧开设有第一油通孔，空心固定柱内侧固定连接有中心固定片，中心固定片下端固定连接有第一弹簧，第一弹簧下端固定连接有移动板块，移动板块外侧固定连接有密封环，移动板块下端固定连接有支腿，本实用新型中，装置可以减少冲击力对主机本体造成的震动，同时可以减少主机本体发生晃动的幅度，保护装置的正常运行，提高装置的稳定性和使用寿命。
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