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公开(公告)号：CN107195724B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201710342853.7
申请日：2017-05-16
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0304
Abstract: 本发明涉及一种应用石墨烯电极在GaN自支撑衬底上制备AlGaN肖特基日盲紫外探测器的方法，其中制作方法包括：先通过氢化物化学气相制备自支撑衬底GaN，在GaN自支撑衬底上依次沉积N型重掺杂高Al组分的AlGaN层、N型轻掺杂高Al组分的AlGaN层。然后在结构背面，通过电子束蒸发制作欧姆接触的背电极，在N型轻掺杂AlGaN层上制备石墨烯肖特基接触，并且用剥离技术制作圆形图案。最后在整个结构顶部沉积一层钝化层，并刻蚀部分钝化层至石墨烯肖特基接触表面，然后沉积金属盖帽层。本发明兼顾目前的工艺生产流程，将高阻率的GaN作为自支撑衬底，实现了两个接触制作在衬底不同侧，减小了开启电压，并且将石墨烯用作肖特基接触，进一步提高紫外透过率，提高日盲紫外探测器性能，以用于探测微弱信号的紫外光线。
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公开(公告)号：CN107275422A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710479913.X
申请日：2017-06-22
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/032 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种增强二维过渡金属硫化物光吸收的结构，其主要结构包括基底、分布式布拉格反射镜(DBR)、二维过渡金属硫化物和贵金属纳米光栅。DBR是由两种不同折射率的介质层组成，通过调节介质层的折射率和厚度可以增强二维过渡金属硫化物对特定波段光的吸收。最后在二维过渡金属硫化物表面制备周期性的金属纳米光栅，金属纳米光栅一方面可以散射未被二维材料吸收且被DBR反射回的光，另一方面与入射光形成局域表面等离激元共振实现近场增强。本发明的优点在于显著增强了二维过渡金属硫化物对光的吸收。
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公开(公告)号：CN107195724A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710342853.7
申请日：2017-05-16
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/108 , H01L31/03044 , H01L31/03048
Abstract: 本发明涉及一种应用石墨烯电极在GaN自支撑衬底上制备AlGaN肖特基日盲紫外探测器的方法，其中制作方法包括：先通过氢化物化学气相制备自支撑衬底GaN，在GaN自支撑衬底上依次沉积N型重掺杂高Al组分的AlGaN层、N型轻掺杂高Al组分的AlGaN层。然后在结构背面，通过电子束蒸发制作欧姆接触的背电极，在N型轻掺杂AlGaN层上制备石墨烯肖特基接触，并且用剥离技术制作圆形图案。最后在整个结构顶部沉积一层钝化层，并刻蚀部分钝化层至石墨烯肖特基接触表面，然后沉积金属盖帽层。本发明兼顾目前的工艺生产流程，将高阻率的GaN作为自支撑衬底，实现了两个接触制作在衬底不同侧，减小了开启电压，并且将石墨烯用作肖特基接触，进一步提高紫外透过率，提高日盲紫外探测器性能，以用于探测微弱信号的紫外光线。
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公开(公告)号：CN107275422B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201710479913.X
申请日：2017-06-22
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/032 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种增强二维过渡金属硫化物光吸收的结构，其主要结构包括基底、分布式布拉格反射镜(DBR)、二维过渡金属硫化物和贵金属纳米光栅。DBR是由两种不同折射率的介质层组成，通过调节介质层的折射率和厚度可以增强二维过渡金属硫化物对特定波段光的吸收。最后在二维过渡金属硫化物表面制备周期性的金属纳米光栅，金属纳米光栅一方面可以散射未被二维材料吸收且被DBR反射回的光，另一方面与入射光形成局域表面等离激元共振实现近场增强。本发明的优点在于显著增强了二维过渡金属硫化物对光的吸收。
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