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公开(公告)号：CN104341447B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410621520.4
申请日：2014-11-06
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及一种含N脒基硅化合物，依以下方法制备：(1)将碳二亚胺或其衍生物溶解在反应溶剂中，在‑78～0℃搅拌条件下加入烷/胺基锂溶液，氨基吡啶或其衍生物与烷/胺基锂的摩尔比为1:1～1.2；恢复到室温后继续搅拌反应0.5～3小时，得到反应混合物；(2)将步骤(1)得到的反应混合物过滤，得到锂盐固体，将锂盐固体溶于有机溶剂，得到锂盐溶液；(3)在‑78～0℃按照锂盐与含硅反应物摩尔比1～4:1～1.1，向锂盐溶液中滴加含硅反应物或其溶液，升至一定温度反应3～10小时；(4)将步骤(3)得到的反应混合物进行过滤，滤液浓缩后结晶或减压蒸馏得到含脒配体硅化合物。本发明所述化合物可以在集成电路生产中用于制备氮化硅、含碳氮化硅等薄膜。
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公开(公告)号：CN103011173A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210552212.1
申请日：2012-12-18
Applicant: 江南大学
IPC: C01B33/107
Abstract: 本发明涉及一种六氯乙硅烷的合成方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）将硅粉与催化剂加入反应釜中，在惰性气体保护下加入四氯化硅，升温至30~200℃反应3~24小时，冷却至室温，得到反应混合物；所述硅粉与四氯化硅的摩尔比为1:1~10；所述催化剂为一价铜的配合物，催化剂与四氯化硅的摩尔比为1:100~1000；（2）在惰性气体保护下将步骤（1）得到的反应混合物进行过滤，将滤液蒸馏，收留145~147℃的蒸留成份，即为所述的六氯乙硅烷。本发明以较易得到的四氯化硅液体为起始原料，使其在一价铜配合物的催化下与硅粉直接反应生成六氯乙硅烷；本发明提高了产物产率（大于70%），原子经济性好，降低了反应温度，减小了能耗。
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公开(公告)号：CN104447838B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201410621227.8
申请日：2014-11-06
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及一种β二亚胺基硅化合物，采用以下方法制备：(1)将β二亚胺或其衍生物溶解在反应溶剂中，在‑78～0℃搅拌条件下加入烷基锂溶液，β二亚胺或其衍生物与烷基锂的摩尔比为1:1～1.2；恢复到室温后继续搅拌反应0.5～3小时，得到反应混合物；(2)将步骤(1)得到的反应混合物过滤，得到锂盐固体，将锂盐固体溶于有机溶剂中，得到锂盐溶液；(3)在‑78～0℃按照锂盐与含硅反应物摩尔比1～4：1，向锂盐溶液中滴加含硅反应物或其溶液，升至一定温度反应3～10小时；(4)将步骤(3)得到的反应混合物进行过滤，滤液浓缩后结晶或减压蒸馏得到含β二亚胺基硅化合物。本发明所述化合物可以在集成电路生产中用于制备氮化硅、含碳氮化硅等薄膜。
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公开(公告)号：CN105503928B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201410532553.1
申请日：2014-10-10
Applicant: 江南大学 , 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: C23C16/20 , C07F5/066 , C07F5/069 , C23C16/08 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/403 , C23C16/4482 , C23C16/45534 , C23C16/45553
Abstract: 一种薄膜沉积铝前驱体，其特征在于，具有如下的结构式(I)或(II)的分子结构，其中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7表示氢原子、C1～C6烷基、C2～C5链烯基、C3～C10环烷基、C6～C10芳基或—Si(R0)3、以及上述基团的卤素取代基团，其中R0为C1～C6烷基或其卤素取代基团，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7相同或相异。依照本发明，利用分子间相互作用力的原理，研发了热稳定好、不易分解的薄膜沉积前驱体，便于储存和运输，高温挥发性好，成膜性能优良。
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公开(公告)号：CN104447839A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410625636.5
申请日：2014-11-06
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及一种氨基吡啶基硅化合物，采用以下方法制备：(1)将氨基吡啶或其衍生物溶解在反应溶剂中，在-78～0℃搅拌条件下加入烷基锂溶液，氨基吡啶或其衍生物与烷基锂的摩尔比为1:1～1.2；恢复到室温后继续搅拌反应0.5～3小时，得到反应混合物；(2)将步骤(1)得到的反应混合物过滤，得到锂盐固体，将锂盐固体溶于有机溶剂中，得到锂盐溶液；(3)在-78～0℃按照锂盐与含硅反应物摩尔比1～4：1，向锂盐溶液中滴加含硅反应物或其溶液，升至一定温度反应3～10小时；(4)将步骤(3)得到的反应混合物进行过滤，滤液浓缩后结晶或减压蒸馏得到氨基吡啶基硅化合物。本发明所述化合物可以在集成电路生产中用于制备氮化硅、含碳氮化硅等薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103922906A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410190336.9
申请日：2014-05-07
Applicant: 江南大学
IPC: C07C46/00 , C07C50/02 , C07C50/28 , C07C50/10 , C07C201/12 , C07C205/46
CPC classification number: C07C46/00 , C07C201/12 , C07C50/02 , C07C50/28 , C07C50/10 , C07C205/46
Abstract: 本发明公开了一种新型环境友好型合成芳基醌类的方法。其特征在于，按如下步骤进行：(1)将醌类与二芳基碘翁盐按摩尔比1∶1～2加入到反应容器中，加入1，2-二氯乙烷作为反应溶剂，加热反应：所述的碱为以下几种常用碱：碳酸钠，碳酸钾，碳酸铯，氢氧化钠，氢氧化钾，叔丁醇钠。(2)得到的反应液过滤后，经200～300目的硅胶柱纯化，用20～50mL石油醚预淋洗硅胶柱后，采用淋洗液进行洗脱，淋洗液流速为1～2mL/min，洗脱时间为1～2h，除去溶剂后，即得到所述芳基醌类。在研究中发现，二芳基碘翁盐与醌类反应，通过两者偶联生成芳基醌类化合物，具备制备原料便宜，产率高的特点，更为重要的是避免了使用金属催化剂，同时方法简单，这是一种非常有工业应用前景的制备芳基醌类的新方法。
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公开(公告)号：CN103011173B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210552212.1
申请日：2012-12-18
Applicant: 江南大学
IPC: C01B33/107
Abstract: 本发明涉及一种六氯乙硅烷的合成方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）将硅粉与催化剂加入反应釜中，在惰性气体保护下加入四氯化硅，升温至30~200℃反应3~24小时，冷却至室温，得到反应混合物；所述硅粉与四氯化硅的摩尔比为1:1~10；所述催化剂为一价铜的配合物，催化剂与四氯化硅的摩尔比为1:100~1000；（2）在惰性气体保护下将步骤（1）得到的反应混合物进行过滤，将滤液蒸馏，收留145~147℃的蒸留成份，即为所述的六氯乙硅烷。本发明以较易得到的四氯化硅液体为起始原料，使其在一价铜配合物的催化下与硅粉直接反应生成六氯乙硅烷；本发明提高了产物产率（大于70%），原子经济性好，降低了反应温度，减小了能耗。
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公开(公告)号：CN105503928A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410532553.1
申请日：2014-10-10
Applicant: 江南大学 , 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: C23C16/20 , C07F5/066 , C07F5/069 , C23C16/08 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/403 , C23C16/4482 , C23C16/45534 , C23C16/45553
Abstract: 一种薄膜沉积铝前驱体，其特征在于，具有如下的结构式(I)或(II)的分子结构，其中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7表示氢原子、C1～C6烷基、C2～C5链烯基、C3～C10环烷基、C6～C10芳基或—Si(R0)3、以及上述基团的卤素取代基团，其中R0为C1～C6烷基或其卤素取代基团，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7相同或相异。依照本发明，利用分子间相互作用力的原理，研发了热稳定好、不易分解的薄膜沉积前驱体，便于储存和运输，高温挥发性好，成膜性能优良。
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公开(公告)号：CN104447838A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410621227.8
申请日：2014-11-06
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及一种β二亚胺基硅化合物，采用以下方法制备：(1)将β二亚胺或其衍生物溶解在反应溶剂中，在-78～0℃搅拌条件下加入烷基锂溶液，β二亚胺或其衍生物与烷基锂的摩尔比为1:1～1.2；恢复到室温后继续搅拌反应0.5～3小时，得到反应混合物；(2)将步骤(1)得到的反应混合物过滤，得到锂盐固体，将锂盐固体溶于有机溶剂中，得到锂盐溶液；(3)在-78～0℃按照锂盐与含硅反应物摩尔比1～4：1，向锂盐溶液中滴加含硅反应物或其溶液，升至一定温度反应3～10小时；(4)将步骤(3)得到的反应混合物进行过滤，滤液浓缩后结晶或减压蒸馏得到含β二亚胺基硅化合物。本发明所述化合物可以在集成电路生产中用于制备氮化硅、含碳氮化硅等薄膜。
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公开(公告)号：CN104341447A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410621520.4
申请日：2014-11-06
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及一种含N脒基硅化合物，依以下方法制备：(1)将碳二亚胺或其衍生物溶解在反应溶剂中，在-78～0℃搅拌条件下加入烷/胺基锂溶液，氨基吡啶或其衍生物与烷/胺基锂的摩尔比为1:1～1.2；恢复到室温后继续搅拌反应0.5～3小时，得到反应混合物；(2)将步骤(1)得到的反应混合物过滤，得到锂盐固体，将锂盐固体溶于有机溶剂，得到锂盐溶液；(3)在-78～0℃按照锂盐与含硅反应物摩尔比1～4:1～1.1，向锂盐溶液中滴加含硅反应物或其溶液，升至一定温度反应3～10小时；(4)将步骤(3)得到的反应混合物进行过滤，滤液浓缩后结晶或减压蒸馏得到含脒配体硅化合物。本发明所述化合物可以在集成电路生产中用于制备氮化硅、含碳氮化硅等薄膜。
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