第三代半导体器件封装用苯并噁嗪树脂基组合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN113897025B

    公开(公告)日:2023-01-24

    申请号:CN202111125744.2

    申请日:2021-09-24

    Applicant: 江南大学

    Abstract: 本发明涉及电子封装材料技术领域,具体涉及一种第三代半导体器件封装用苯并噁嗪树脂基组合物及其制备方法。该苯并噁嗪树脂基组合物包括二胺型苯并噁嗪树脂、多官能环氧树脂、芳香胺固化剂、乙酰丙酮金属络合物促进剂、无机填料和端环氧基超支化聚硅氧烷。树脂组合物中苯并噁嗪树脂含量大于环氧树脂,且可在150~190℃下快速固化成型,适用于现有环氧模塑料的传递模塑、模压、注射模塑等固化成型方式;固化物具有高的弯曲强度、玻璃化转变温度和热稳定性,较低的介电常数和介电损耗,同时具有低吸水性,适用于第三代半导体器件封装。

    第三代半导体器件封装用苯并噁嗪树脂基组合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN113897025A

    公开(公告)日:2022-01-07

    申请号:CN202111125744.2

    申请日:2021-09-24

    Applicant: 江南大学

    Abstract: 本发明涉及电子封装材料技术领域,具体涉及一种第三代半导体器件封装用苯并噁嗪树脂基组合物及其制备方法。该苯并噁嗪树脂基组合物包括二胺型苯并噁嗪树脂、多官能环氧树脂、芳香胺固化剂、乙酰丙酮金属络合物促进剂、无机填料和端环氧基超支化聚硅氧烷。树脂组合物中苯并噁嗪树脂含量大于环氧树脂,且可在150~190℃下快速固化成型,适用于现有环氧模塑料的传递模塑、模压、注射模塑等固化成型方式;固化物具有高的弯曲强度、玻璃化转变温度和热稳定性,较低的介电常数和介电损耗,同时具有低吸水性,适用于第三代半导体器件封装。

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