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公开(公告)号：CN115678347A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211094189.6
申请日：2022-09-08
Applicant: 江南大学
IPC: C09D11/52
Abstract: 本发明公开了一种低温等离子体诱导功能薄膜的制备方法及其关键材料。本发明所述制备方法包括如下步骤：S1：清洗柔性基板；S2：将油墨旋涂于柔性基板；S3：将旋涂有油墨的柔性基板置于加热板进行预热处理后，置于等离子体设备，设置等离子体处理的功率、时间和气体流量，然后通入N2/H2混合气进行诱导，得到功能薄膜。本发明制备的功能薄膜具有优良的稳定性、抗氧化性，固化结构密实，导电性优良且与柔性基板的附着力较大。
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公开(公告)号：CN117182065B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202311162429.6
申请日：2023-09-08
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种提高烧结银多孔结构高温稳定性的方法及关键材料的制备方法。本发明所述关键材料为银基焊膏，其制备方法为：首先制备金属盐溶液；然后将银粉加入金属盐溶液中，搅拌得到混合溶液；将混合溶液加热干燥后，冷却至室温，得到金属盐修饰银粉，与有机溶剂Ⅱ混合得到银膏初产物，搅拌、均质化得到银基焊膏。本发明通过金属盐修饰银粉表面提高了金属盐在银膏中分散的均匀一致性以及银烧结效率；同时，金属盐分解得到的具有高内聚能的金属及其氧化物，可以抑制高温老化过程中烧结银多孔结构的变化，提高烧结银多孔结构的高温稳定性。
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公开(公告)号：CN115938642A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211665295.5
申请日：2022-12-23
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种低温烧结导电银浆，所述低温烧结导电银浆的由银粉和混合溶剂组成；所述银粉的平均粒径为1.3～1.8μm，其中，粒径为0.5～1.5μm的占比为50％～55％，粒径为1.5～3μm的占比为35％～40％，粒径为3～5μm的占比为5％～10％；所述混合溶剂由20～80wt％二丙二醇甲醚醋酸酯与20～80wt％松油醇组成；银粉与混合溶剂的质量比为8～9:1～2。本发明导电银浆可以在160℃进行无压低温烧结，烧结结构具有优良的电‑力学，可以满足高温大功率芯片贴装需求及其他低温互连‑高温应用场景的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117182065A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311162429.6
申请日：2023-09-08
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种提高烧结银多孔结构高温稳定性的方法及关键材料的制备方法。本发明所述关键材料为银基焊膏，其制备方法为：首先制备金属盐溶液；然后将银粉加入金属盐溶液中，搅拌得到混合溶液；将混合溶液加热干燥后，冷却至室温，得到金属盐修饰银粉，与有机溶剂Ⅱ混合得到银膏初产物，搅拌、均质化得到银基焊膏。本发明通过金属盐修饰银粉表面提高了金属盐在银膏中分散的均匀一致性以及银烧结效率；同时，金属盐分解得到的具有高内聚能的金属及其氧化物，可以抑制高温老化过程中烧结银多孔结构的变化，提高烧结银多孔结构的高温稳定性。
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公开(公告)号：CN115938642B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211665295.5
申请日：2022-12-23
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种低温烧结导电银浆，所述低温烧结导电银浆的由银粉和混合溶剂组成；所述银粉的平均粒径为1.3～1.8μm，其中，粒径为0.5～1.5μm的占比为50％～55％，粒径为1.5～3μm的占比为35％～40％，粒径为3～5μm的占比为5％～10％；所述混合溶剂由20～80wt％二丙二醇甲醚醋酸酯与20～80wt％松油醇组成；银粉与混合溶剂的质量比为8～9:1～2。本发明导电银浆可以在160℃进行无压低温烧结，烧结结构具有优良的电‑力学，可以满足高温大功率芯片贴装需求及其他低温互连‑高温应用场景的需求。
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公开(公告)号：CN115442981B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202211163751.6
申请日：2022-09-23
Applicant: 江南大学
IPC: H05K3/32
Abstract: 本发明涉及一种芯片贴装过程中的加压装置及其加压方法，包括杠杆，其上水平安装转轴，杠杆后端部由钢丝绳吊装，钢丝绳绕过滑轮后衔接载重，杠杆前端底面安装压头组件，压头组件底端的压块向下方芯片施加垂直向下的力，构成芯片的加压机构；位于转轴和钢丝绳之间的杠杆上方设置凸轮，随着凸轮的转动，凸轮向下方的杠杆施加向下的力来解除压头组件对芯片向下的压力；通过载重经钢丝绳、杠杆向芯片施加向下、持续、稳定的压紧力，另由凸轮转动向杠杆缓慢施加抵消载重的力来解除对芯片的压紧，有效保证了芯片压装的持续、均匀、稳定，并且适用于多列芯片的同步压装，极大地助力于芯片贴装中的使用，尤其适用于加热等不同场合下芯片的压装。
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公开(公告)号：CN115678347B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211094189.6
申请日：2022-09-08
Applicant: 江南大学
IPC: C09D11/52
Abstract: 本发明公开了一种低温等离子体诱导功能薄膜的制备方法及其关键材料。本发明所述制备方法包括如下步骤：S1：清洗柔性基板；S2：将油墨旋涂于柔性基板；S3：将旋涂有油墨的柔性基板置于加热板进行预热处理后，置于等离子体设备，设置等离子体处理的功率、时间和气体流量，然后通入N2/H2混合气进行诱导，得到功能薄膜。本发明制备的功能薄膜具有优良的稳定性、抗氧化性，固化结构密实，导电性优良且与柔性基板的附着力较大。
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公开(公告)号：CN115442981A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211163751.6
申请日：2022-09-23
Applicant: 江南大学
IPC: H05K3/32
Abstract: 本发明涉及一种芯片贴装过程中的加压装置及其加压方法，包括杠杆，其上水平安装转轴，杠杆后端部由钢丝绳吊装，钢丝绳绕过滑轮后衔接载重，杠杆前端底面安装压头组件，压头组件底端的压块向下方芯片施加垂直向下的力，构成芯片的加压机构；位于转轴和钢丝绳之间的杠杆上方设置凸轮，随着凸轮的转动，凸轮向下方的杠杆施加向下的力来解除压头组件对芯片向下的压力；通过载重经钢丝绳、杠杆向芯片施加向下、持续、稳定的压紧力，另由凸轮转动向杠杆缓慢施加抵消载重的力来解除对芯片的压紧，有效保证了芯片压装的持续、均匀、稳定，并且适用于多列芯片的同步压装，极大地助力于芯片贴装中的使用，尤其适用于加热等不同场合下芯片的压装。
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