公开(公告)号：CN110964225B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201911295944.5

申请日：2019-12-16

Applicant: 江南大学

Inventor： 曹玉华 ,  商朦 ,  倪鑫炯

IPC: C08J9/26 ,  C08F226/10 ,  C08F212/08 ,  C08K9/04 ,  C08K3/22 ,  G01N21/78

Abstract: 本发明公开了一种磁性分子印迹光子晶体传感器及其制备方法与应用。本发明采用非离子型双亲性无规共聚物，兼细乳化体系的乳化剂、磁性纳米粒子的包覆材料、传感器的分子印迹材料三者于一体，实现一步法制备磁性分子印迹光子晶体传感器，解决了目前分子印迹光子晶体传感器制备过程复杂繁琐、耗时耗力、成本高的问题，而且此方法构筑的是基于空间位阻效应的磁响应光子晶体，克服了基于静电排斥体系的缺陷，消除了待测溶液中离子强度、pH等的干扰，拓宽了此磁性分子印迹光子晶体传感器的实际应用。表面印迹的优势更是提高了光子晶体传感器的响应速度，达到了简便、快速的“裸眼检测”的效果。

公开(公告)号：CN110964225A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201911295944.5

申请日：2019-12-16

Applicant: 江南大学

Inventor： 曹玉华 ,  商朦 ,  倪鑫炯

IPC: C08J9/26 ,  C08F226/10 ,  C08F212/08 ,  C08K9/04 ,  C08K3/22 ,  G01N21/78

Abstract: 本发明公开了一种磁性分子印迹光子晶体传感器及其制备方法与应用。本发明采用非离子型双亲性无规共聚物，兼细乳化体系的乳化剂、磁性纳米粒子的包覆材料、传感器的分子印迹材料三者于一体，实现一步法制备磁性分子印迹光子晶体传感器，解决了目前分子印迹光子晶体传感器制备过程复杂繁琐、耗时耗力、成本高的问题，而且此方法构筑的是基于空间位阻效应的磁响应光子晶体，克服了基于静电排斥体系的缺陷，消除了待测溶液中离子强度、pH等的干扰，拓宽了此磁性分子印迹光子晶体传感器的实际应用。表面印迹的优势更是提高了光子晶体传感器的响应速度，达到了简便、快速的“裸眼检测”的效果。