公开(公告)号：CN105388563B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201510918073.3

申请日：2015-12-11

Applicant: 江南大学

Inventor： 梁修业 ,  王继成 ,  夏秀山 ,  唐宝杰

IPC: G02B6/122

Abstract: 本发明提供一种基于单层石墨烯片和环形谐振腔的表面等离子体马赫曾德尔干涉仪，包括环境介质二氧化硅，石墨烯输入波导，石墨烯输出波导，第一环形谐振腔，第二环形谐振腔，干涉仪上臂，干涉仪下臂，其特征在于：石墨烯波导及谐振腔固定于方形环境介质二氧化硅中，干涉仪上臂内有长为200nm的电压可调区域。使用时，光信号通过耦合硅波导或锥形光纤引入到石墨烯输入波导中，通过第一环形谐振腔耦合进干涉仪上臂和干涉仪下臂，调节干涉仪上臂电压可调区域的外加电压在0.1eV到0.5eV之间改变，进而改变光信号在其上传播时的光程，最终实现光信号在石墨烯输出波导的干涉加强或减弱。本发明结构简单、体积小，主动可调，可应用于红外波段，在光通讯、光集成、光信息处理等方面有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN105388563A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510918073.3

申请日：2015-12-11

Applicant: 江南大学

Inventor： 梁修业 ,  王继成 ,  夏秀山 ,  唐宝杰

IPC: G02B6/122

Abstract: 本发明提供一种基于单层石墨烯片和环形谐振腔的表面等离子体马赫曾德尔干涉仪，包括环境介质(二氧化硅)，石墨烯输入波导，石墨烯输出波导，第一环形谐振腔，第二环形谐振腔，干涉仪上臂，干涉仪下臂，其特征在于：石墨烯波导及谐振腔固定于方形环境介质(二氧化硅)中，干涉仪上臂内有长为200nm的电压可调区域。使用时，光信号通过耦合硅波导或锥形光纤引入到石墨烯输入波导中，通过第一环形谐振腔耦合进干涉仪上臂和干涉仪下臂，调节干涉仪上臂电压可调区域的外加电压在0.1eV到0.5eV之间改变，进而改变光信号在其上传播时的光程，最终实现光信号在石墨烯输出波导的干涉加强或减弱。本发明结构简单、体积小，主动可调，可应用于红外波段，在光通讯、光集成、光信息处理等方面有广泛的应用前景。