公开(公告)号：CN106463376B

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201580032120.2

申请日：2015-06-18

Applicant: 汉阳大学校ERICA产学协力团

Inventor： 柳奉宁 ,  梁畅烈 ,  刘圣国

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种通过连续的湿法沉积工序和低温工序能够均匀地剥离硅基板的表面的硅基板的表面剥离方法。本发明的硅基板的表面剥离方法包括：在硅基板表面形成纳米孔的步骤；通过无电解沉积方式，在形成有纳米孔的硅基板表面形成金属种子层的步骤；通过电解沉积方式，在上述种子层上形成金属应力层的步骤；以及通过残留在上述应力层的电解沉积应力，剥离上述硅基板的表面的步骤。另外，本发明的特征在于包括：通过电解沉积工序，在晶体硅基板的表面形成残留有电解沉积应力的磁性材质的应力层的步骤；以及通过残留在上述应力层的电解沉积应力来剥离上述晶体硅基板的表面的步骤，在剥离上述晶体硅基板的表面的步骤中，使用磁铁来对上述应力层施加力。

公开(公告)号：CN106463376A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580032120.2

申请日：2015-06-18

Applicant: 汉阳大学校ERICA产学协力团

Inventor： 柳奉宁 ,  梁畅烈 ,  刘圣国

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种通过连续的湿法沉积工序和低温工序能够均匀地剥离硅基板的表面的硅基板的表面剥离方法。本发明的硅基板的表面剥离方法包括：在硅基板表面形成纳米孔的步骤；通过无电解沉积方式，在形成有纳米孔的硅基板表面形成金属种子层的步骤；通过电解沉积方式，在上述种子层上形成金属应力层的步骤；以及通过残留在上述应力层的电解沉积应力，剥离上述硅基板的表面的步骤。另外，本发明的特征在于包括：通过电解沉积工序，在晶体硅基板的表面形成残留有电解沉积应力的磁性材质的应力层的步骤；以及通过残留在上述应力层的电解沉积应力来剥离上述晶体硅基板的表面的步骤，在剥离上述晶体硅基板的表面的步骤中，使用磁铁来对上述应力层施加力。