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公开(公告)号：CN115915906A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310098689.5
申请日：2017-02-03
Applicant: 汉阳大学校产学协力团
Abstract: 本发明公开存储器件，即，在基板层叠下部电极、种子层、合成交换半磁性层、分离层、磁隧道结、覆盖层及上部电极，在磁隧道结和覆盖层之间形成扩散阻挡层。并且，本发明公开存储器件，即，在基板层叠下部电极、种子层、合成交换半磁性层、分离层、磁隧道结、覆盖层及上部电极。种子层由使合成交换半磁性层向面心立方结构(111)方向形成的物质形成。并且，本发明公开存储器件，即，在两个电极之间层叠种子层、合成交换半磁性层、分离层、磁隧道结及覆盖层，磁隧道结包括形成于两个自由层之间的插入层，分离层、插入层及覆盖层的至少一个由体心立方结构的物质形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110544619A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201810894237.7
申请日：2018-08-07
Applicant: 汉阳大学校产学协力团
Abstract: 本发明涉及利用氢化物气相沉积法的氮化镓基板的制造方法。本发明实施例的氮化镓基板的制造方法的特征在于，包括：向蓝宝石基板上注入氨气的第一表面处理步骤；通过向上述蓝宝石基板上注入上述氨气及氯化氢气体来形成缓冲层的步骤；向上述蓝宝石基板上注入上述氨气的第二表面处理步骤；以及在上述蓝宝石基板上分步降低氨气与氯化氢气体的流量比并使氮化镓生长的步骤。
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公开(公告)号：CN107454986A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201680016542.5
申请日：2016-02-02
Applicant: 汉阳大学校产学协力团
Abstract: 本发明包括形成在基板上的下部电极、第一缓冲层、种子层、合成交换半磁性层、覆盖层、固定层、磁隧道屏障、自由层、第二缓冲层及上部电极。公开了存储器件，其在基板，从下部电极至上部电极依次层叠，合成交换半磁性层呈第一磁性层、非磁性层及第二磁性层的层叠结构，固定层、磁隧道屏障及自由层形成磁隧道结。
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公开(公告)号：CN1944496A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610099589.0
申请日：2005-03-11
Applicant: K.C.科技股份有限公司 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: C08J3/14 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明是关于一种抛光浆料及其制备方法和基板的抛光方法。本文描述的是一种化学机械抛光浆料。此种抛光浆料中的抛光粒子，其粒度分布曲线具有分别独立的小颗粒区与大颗粒区，且其粒度均值为50－150nm。本发明所述的抛光浆料具有优化的粒度，其粒度可以通过改变生产条件控制，这对抛光具有精细设计要求的半导体非常有用。本发明还提出了一种抛光浆料及其制备方法，采用这种抛光浆料时，可以通过控制其抛光粒子粒度分布曲线来保证化学机械抛光的精度和减少表面划痕数量。本发明还提供了一种抛光基板的方法。
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