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公开(公告)号:CN110776396B
公开(公告)日:2022-09-09
申请号:CN201911057698.X
申请日:2019-10-31
Applicant: 武汉轻工大学
IPC: C07C25/18 , C07C331/28 , C07C17/263 , C07C17/093 , C07C209/68 , C07C211/45 , C07F5/02 , C09K19/12 , C09K19/44 , H01P1/18
Abstract: 本发明公开一种侧乙基四联苯类液晶化合物及其制备方法、液晶组合物以及微波器件,涉及液晶材料技术领域。所述侧乙基四联苯类液晶化合物具有如结构式(Ⅰ)所示的结构。本发明旨在提供一种高Δn值、结构稳定、对微波吸收系数小、介电损耗低的侧乙基四联苯类向列相液晶化合物。进而通过将该侧乙基四联苯类液晶化合物与其他四种宽温向列相液晶化合物混合,制成可满足微波K波段使用的高介低耗的向列相液晶组合物,从而减少了微波介电损耗,提高了微波相位调制量和器件品质因素。
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公开(公告)号:CN110776396A
公开(公告)日:2020-02-11
申请号:CN201911057698.X
申请日:2019-10-31
Applicant: 武汉轻工大学
IPC: C07C25/18 , C07C331/28 , C07C17/263 , C07C17/093 , C07C209/68 , C07C211/45 , C07F5/02 , C09K19/12 , C09K19/44 , H01P1/18
Abstract: 本发明公开一种侧乙基四联苯类液晶化合物及其制备方法、液晶组合物以及微波器件,涉及液晶材料技术领域。所述侧乙基四联苯类液晶化合物具有如结构式(Ⅰ)所示的结构。本发明旨在提供一种高Δn值、结构稳定、对微波吸收系数小、介电损耗低的侧乙基四联苯类向列相液晶化合物。进而通过将该侧乙基四联苯类液晶化合物与其他四种宽温向列相液晶化合物混合,制成可满足微波K波段使用的高介低耗的向列相液晶组合物,从而减少了微波介电损耗,提高了微波相位调制量和器件品质因素。
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公开(公告)号:CN110760311A
公开(公告)日:2020-02-07
申请号:CN201911050856.9
申请日:2019-10-31
Applicant: 武汉轻工大学
Abstract: 本发明公开了一种侧甲基多联苯类液晶化合物和液晶组合物及其应用。该液晶化合物的结构如式I所示;其中,n为1-7的整数;X1-X4各自独立地选自H原子、F原子或Cl原子;k为0或1;Y为NCS、F原子或R基团;R选自含有1-6个碳的直链烷基、含烯基的1-6个碳的直链烷基以及烷基链上H原子被1-2个氟原子或被1个甲基取代的含有1-6个碳的直链烷基中的一种。本发明的技术方案混合配制成Δn值大于0.35的液晶组合物材料,提高了微波相位调制量,减少了微波波频插损量。
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公开(公告)号:CN110699091A
公开(公告)日:2020-01-17
申请号:CN201911050825.3
申请日:2019-10-31
Applicant: 武汉轻工大学
Abstract: 本发明公开了一种高介低耗的液晶组合物及其应用。该液晶组合物包括:第一组分化合物,第二组分化合物和任选的第三组分化合物;第一组分化合物为式I至式V所示的液晶化合物中的至少一种,第二组分化合物为式VI所示的液晶化合物中的至少一种,第三组分化合物为式VII所示的液晶化合物中的至少一种;本发明的技术方案混合配制成高Δn值在0.35~0.42范围内液晶组合物材料,提高了微波相位调制量,减少了微波波频插损量(即减低了介电损耗)。
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公开(公告)号:CN110746982B
公开(公告)日:2021-09-17
申请号:CN201911057410.9
申请日:2019-10-31
Applicant: 武汉轻工大学
IPC: C09K19/12 , C09K19/44 , C07C331/28 , C07C25/18 , C07F3/02 , C07C1/32 , C07C15/14 , C07C17/12 , C07F5/02 , C07C209/68 , C07C211/52 , C07C17/263 , H01Q15/00 , H01P1/18 , H01P1/20
Abstract: 本发明公开一种非手性侧甲基烷基四联苯类液晶化合物及其制备方法、液晶组合物以及微波通讯器件,所述非手性侧甲基烷基四联苯类液晶化合物具有如结构式(Ⅰ)所示的结构。所述化合物(Ⅰ)中同时具有四联苯和支链甲基烷基结构单元,因其支链甲基烷基是非手性构象,不仅增加四联苯液晶化合物的分子柔性,使得所述非手性侧甲基烷基四联苯类液晶化合物(Ⅰ)结构稳定,具有较低的熔点、大的光学各向异性和宽温向列相等优点;将其应用到高介电各向异性液晶材料中时,有利于降低液晶微波器件的介电损耗,增大微波相位调制能力和提高液晶材料的品质因数。
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公开(公告)号:CN110760311B
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN201911050856.9
申请日:2019-10-31
Applicant: 武汉轻工大学
Abstract: 本发明公开了一种侧甲基多联苯类液晶化合物和液晶组合物及其应用。该液晶化合物的结构如式I所示;其中,n为1‑7的整数;X1‑X4各自独立地选自H原子、F原子或Cl原子;k为0或1;Y为NCS、F原子或R基团;R选自含有1‑6个碳的直链烷基、含烯基的1‑6个碳的直链烷基以及烷基链上H原子被1‑2个氟原子或被1个甲基取代的含有1‑6个碳的直链烷基中的一种。本发明的技术方案混合配制成Δn值大于0.35的液晶组合物材料,提高了微波相位调制量,减少了微波波频插损量。
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公开(公告)号:CN110746981B
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN201911051374.5
申请日:2019-10-31
Applicant: 武汉轻工大学
IPC: C09K19/10
Abstract: 本发明公开了一种液晶组合物及其应用。该液晶组合物包括第一组分化合物,第二组分化合物以及任选的第三组分化合物和第四组分化合物;第一组分化合物为式I所示液晶化合物中的至少一种,第二组分化合物为式II所示液晶化合物中的至少一种,第三组分化合物为式III‑V所示液晶化合物中的至少一种,第四组分化合物为式VI所示液晶化合物中的至少一种。本发明的技术方案混合配制成Δn值在0.35~0.42范围内液晶组合物材料,提高了微波相位调制量,减少了微波波频插损量(即减低了介电损耗)。
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公开(公告)号:CN110776927A
公开(公告)日:2020-02-11
申请号:CN201911058698.1
申请日:2019-10-31
Applicant: 武汉轻工大学
Abstract: 本发明公开一种异硫氰基含氟四联苯类液晶化合物及其制备方法、液晶组合物及应用,异硫氰基含氟四联苯类液晶化合物的结构中同时具有四联苯结构、烷基取代基、F原子以及-NCS等基团,四联苯结构使得所述液晶化合物具有光学各向异性大和的优点,烷基取代基能够降低液晶化合物的熔点,使得所述液晶化合物具有相对较低熔点的优势,F原子能增大液晶化合物的介电常数,-NCS基团延长了四联苯π-电子共轭体系的长度,能增大液晶化合物的光学各向异性,将该类液晶化合物应用到高介电各向异性液晶材料中时,由于这些基团的综合作用,有利于降低液晶微波器件的介电损耗,提高相位调制能力和提高液晶材料的品质因数。
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公开(公告)号:CN109943350A
公开(公告)日:2019-06-28
申请号:CN201910087466.2
申请日:2019-01-29
Applicant: 武汉轻工大学
Abstract: 本发明提供一种宽温液晶组合物及包含其的高频组件,液晶组合物包括第一组份、第二组分及第三组分,第一组分如式Ⅰ所示:所述第二组分如式Ⅱ所示:所述第三组分如式Ⅲ所示:本发明的有益效果在于混合配制成Δn值在0.4~0.35范围内液晶组合物材料,提高了微波相位调制量,减少了微波波频插损量;采用低熔点液晶组分,降低了液晶组合物的低共凝固点,满足微波器件室外工作要求,这对解决微波器件户外低温工作有利,高温清凉点达到120℃,使用的温度范围广。
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