公开(公告)号：CN110649902B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN201910936556.4

申请日：2019-09-29

Applicant: 武汉虹信科技发展有限责任公司

Inventor： 罗伟 ,  郑仁雷 ,  王艳欢 ,  杨键

IPC: H03G1/00

Abstract: 本发明实施例提供一种GaN功率放大器的电源时序控制电路及方法。其中，该电路包括栅极电压产生电路；栅极电压产生电路包括负压产生电路、正压产生电路、数模转换器、TDD切换电路和运算放大器加法器；TDD切换电路用于控制数模转换器与运算放大器加法器之间的连接状态。本发明实施例提供的GaN功率放大器的电源时序控制电路及方法，通过将TDD切换电路设置于数模转换器和运算放大器加法器之间，确保在TDD切换时，栅极电压在正常工作电压和截止电压间正常切换，无异常不定态和异常电压产生，不会导致GaN功率放大器损坏，能提高TDD模式下GaN功率放大器工作的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN107634809B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201710830870.5

申请日：2017-09-15

Applicant: 武汉虹信科技发展有限责任公司

Inventor： 王艳欢 ,  倪创

IPC: H04B17/17 ,  H04B17/23 ,  H04B17/29

Abstract: 本发明公开了一种射频拉远单元自体老化测试方法及系统，设置老化测试模式设置装置、待老化RRU和功率负载，待老化RRU中设置老化测试软件模块，通过老化测试模式设置装置设置待老化RRU进入老化测试模式，然后基于老化测试软件模块执行产生一个时钟参考信号，将测试用数据源文件载入，并产生时隙切换控制号，配置AXC数据，打开射频通道和工作状态监控任务，将基带数据源数据经下行链路射频输出口输出到功率负载，进行老化测试数据记录，判断RRU老化测试通过与否。本发明可以实现射频拉远单元的批量老化，采用自体老化方式，大大简化了射频拉远单元老化系统的复杂度，实现产能的提高，具有重要的市场价值。