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发明公开
一种脉冲大电流工况下的半导体通态压降测试主电路拓扑及测量方法审中-实审

公开(公告)号：CN115712049A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202211498351.0

申请日：2022-11-28

Applicant: 武汉船用电力推进装置研究所(中国船舶重工集团公司第七一二研究所)

Inventor： 沙新乐 , 李杰 , 邹顺 , 杨晨光 , 李唯草

IPC: G01R31/26 , G01R19/00

Abstract: 本发明公开了一种脉冲大电流工况下的半导体通态压降测试主电路拓扑，包括低电压开通电路和脉冲大电流续流电路两个部分，低电压开通电路由低压电容C和电阻R组成，脉冲大电流续流电路由高压电容C0、控制开关S0、电感L0和二极管D0组成；本发明还公开了其测量方法，待测半导体在整个测量过程中均不承受高电压，可使用小量程的低压传感器测量，确保了测量的精度。本发明解决了脉冲大电流工况下，半导体通态压降的测量难题，可用于混合式断路器中半导体支路设计指导，以确保短路开断的成功。

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