公开(公告)号：CN101538066B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200810237425.9

申请日：2008-12-25

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 麦立强 ,  陈文 ,  郭万里 ,  顾彦辉 ,  韩春华 ,  胡彬 ,  张鹏超 ,  徐林 ,  戴英

IPC: C01G31/02

Abstract: 一种实现二氧化钒纳米线单分散修饰和择优取向排列的方法。方法是将VO2纳米线在经过硬脂酸及十六烷基三甲基溴化铵两步表面功能化处理后可以在氯仿中达到单分散，放置1个月而不产生沉淀。得到的VO2纳米线LB膜实现了(00l)晶面取向和局部区域定向排列，并具有准持续光电导及典型的磁相变和顺磁特性。该方法工艺十分简单，对设备要求低，重现性好，可控程度高，符合环境要求，该技术适用于传感、光电、生物等新型纳米器件的组装、集成及应用。

公开(公告)号：CN101538066A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200810237425.9

申请日：2008-12-25

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 麦立强 ,  陈文 ,  郭万里 ,  顾彦辉 ,  韩春华 ,  胡彬 ,  张鹏超 ,  徐林 ,  戴英

IPC: C01G31/02

Abstract: 一种实现二氧化钒纳米线单分散修饰和择优取向排列的方法。方法是将VO2纳米线在经过硬脂酸及十六烷基三甲基溴化铵两步表面功能化处理后可以在氯仿中达到单分散，放置1个月而不产生沉淀。得到的VO2纳米线LB膜实现了(00l)晶面取向和局部区域定向排列，并具有准持续光电导及典型的磁相变和顺磁特性。该方法工艺十分简单，对设备要求低，重现性好，可控程度高，符合环境要求，该技术适用于传感、光电、生物等新型纳米器件的组装、集成及应用。