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公开(公告)号：CN101274368B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810047544.8
申请日：2008-04-30
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米Cu均匀包覆的Zn4Sb3粉体的制备方法。该方法是先在真空下熔融高纯金属Zn粉和Sb粉的混合物，冷凝结晶得到单相β-Zn4Sb3化合物的铸体，研磨、过筛得到β-Zn4Sb3粉体；对β-Zn4Sb3粉进行表面处理，然后用酸碱调节剂调pH值，得到活化β-Zn4Sb3粉；再以活化β-Zn4Sb3粉作母料、水溶性铜盐作Cu源，通过液相还原反应、化学镀过程和有机保护处理形成纳米Cu均匀包覆的Zn4Sb3粉体。本发明具有低成本、操作简易、纳米Cu包覆均匀、环境友好等特点，这种粉体不仅可保持β-Zn4Sb3化合物的热电传输特性，而且由于被纳米第二相均匀包覆而具有增强的声子散射作用和电子能量过滤作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100581688C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200810047545.2
申请日：2008-04-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B22F1/02
Abstract: 本发明涉及一种纳米SiO2均匀包覆的Zn4Sb3粉体及制备方法。该方法是先在真空下熔融高纯金属Zn粉和Sb粉的混合物，冷凝结晶得到单相β-Zn4Sb3化合物的铸体，研磨、过筛得到β-Zn4Sb3粉体；对β-Zn4Sb3粉进行表面处理，然后用酸碱调节剂调pH值，得到活化的β-Zn4Sb3粉的悬浊液；移入到三口烧瓶中，在强烈搅拌下缓慢升温；尔后以一定速率加入适量正硅酸乙酯和乙醇的混合溶液，正硅酸乙酯发生水解反应形成纳米SiO2，经过沉淀吸附过程得到纳米SiO2均匀包覆的β-Zn4Sb3粉体。本发明不仅具有低成本、操作简易、纳米SiO2包覆均匀、环境友好等特点，还可以大幅度降低β-Zn4Sb3化合物的热导率，从而有利于提高β-Zn4Sb3化合物的热电传输特性。
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公开(公告)号：CN100506435C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710052482.5
申请日：2007-06-15
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供的Zn4Sb3基块体热电材料的超高压冷压成型方法，具体是：先在真空下熔融高纯Zn粉、Sb粉和/或Te粉，冷凝结晶后得到单相β-Zn4Sb3基化合物的铸体；尔后研磨、过筛得到单相β-Zn4Sb3基化合物的粉体；最后在室温、2～10GPa压力下使粉体冷压成型并致密化，得到高致密度的单相β-Zn4Sb3基块体热电材料。本发明的优点在于：与现有工艺相比，所制造的β-Zn4Sb3基块体热电材料具有无杂质相、高致密度、高机械强度的特点，且热导率大幅度降低，制造周期短，能耗低，便于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN101298101A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810047545.2
申请日：2008-04-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B22F1/02
Abstract: 本发明涉及一种纳米SiO2均匀包覆的Zn4Sb3粉体及制备方法。该方法是先在真空下熔融高纯金属Zn粉和Sb粉的混合物，冷凝结晶得到单相β－Zn4Sb3化合物的铸体，研磨、过筛得到β－Zn4Sb3粉体；对β－Zn4Sb3粉进行表面处理，然后用酸碱调节剂调pH值，得到活化的β－Zn4Sb3粉的悬浊液；移入到三口烧瓶中，在强烈搅拌下缓慢升温；尔后以一定速率加入适量正硅酸乙酯和乙醇的混合溶液，正硅酸乙酯发生水解反应形成纳米SiO2，经过沉淀吸附过程得到纳米SiO2均匀包覆的β－Zn4Sb3粉体。本发明不仅具有低成本、操作简易、纳米SiO2包覆均匀、环境友好等特点，还可以大幅度降低β－Zn4Sb3化合物的热导率，从而有利于提高β－Zn4Sb3化合物的热电传输特性。
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公开(公告)号：CN101274368A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810047544.8
申请日：2008-04-30
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米Cu均匀包覆的Zn4Sb3粉体的制备方法。该方法是先在真空下熔融高纯金属Zn粉和Sb粉的混合物，冷凝结晶得到单相β－Zn4Sb3化合物的铸体，研磨、过筛得到β－Zn4Sb3粉体；对β－Zn4Sb3粉进行表面处理，然后用酸碱调节剂调pH值，得到活化β－Zn4Sb3粉；再以活化β－Zn4Sb3粉作母料、水溶性铜盐作Cu源，通过液相还原反应、化学镀过程和有机保护处理形成纳米Cu均匀包覆的Zn4Sb3粉体。本发明具有低成本、操作简易、纳米Cu包覆均匀、环境友好等特点，这种粉体不仅可保持β－Zn4Sb3化合物的热电传输特性，而且由于被纳米第二相均匀包覆而具有增强的声子散射作用和电子能量过滤作用。
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公开(公告)号：CN101073831A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710052482.5
申请日：2007-06-15
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供的Zn4Sb3基块体热电材料的超高压冷压成型方法，具体是：先在真空下熔融高纯Zn粉、Sb粉和/或Te粉，冷凝结晶后得到单相β－Zn4Sb3基化合物的铸体；尔后研磨、过筛得到单相β－Zn4Sb3基化合物的粉体；最后在室温、2～10GPa压力下使粉体冷压成型并致密化，得到高致密度的单相β－Zn4Sb3基块体热电材料。本发明的优点在于：与现有工艺相比，所制造的β－Zn4Sb3基块体热电材料具有无杂质相、高致密度、高机械强度的特点，且热导率大幅度降低，制造周期短，能耗低，便于大规模工业化生产。
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