-
公开(公告)号：CN100375727C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200610018283.8
申请日：2006-01-24
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C03C3/32
Abstract: 本发明涉及一种超快光开关用硫卤玻璃。超快光开关用硫卤玻璃，其特征在于它主要由In2S3、MX、As2S3和GeS2原料制备而成，各原料所占摩尔%为：In2S3：20～35，MX：25～40，As2S3：4～10，GeS2：20-50，各原料含量之总和为100摩尔%；其中，MX为CsCl、CsBr、CsI中的任意一种或二种及二种以上的混合，二种及二种以上的混合时，为任意配比。本发明具有优良的综合品质，大的三阶非线性系数、在通讯波长处较小的非线性吸收、亚皮秒的超快光响应速度、较好的玻璃形成能力、较低的本征损耗、宽的透过窗口、较大的线性光学折射率。
-
公开(公告)号：CN101811829B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010140259.8
申请日：2010-03-31
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C03C10/16
Abstract: 本发明提供了一种具有离子导体功能的硫系微晶玻璃材料的制备方法。一种具有锂离子导体功能硫系微晶玻璃材料的制备方法，其特征在于它的摩尔组成按化学式表示为：(100-x-y)GeS2·xGa2S3·yLiI，其中x＝20～25，y＝10～20。其制备方法是先使用熔融淬冷法制备出硫系玻璃，然后通过精密热处理，通过基础玻璃的可控微晶化得到具有离子导体功能的硫系微晶玻璃。与基础硫系玻璃相比，本发明制备的具有离子导体固体电解质功能的硫系微晶玻璃具有明显提高的电导率、改善的耐大气侵蚀能力和热力学稳定性。
-
公开(公告)号：CN1837115B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200610018763.4
申请日：2006-04-13
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明属于非线性光学玻璃材料的制备方法。红外倍频硫系玻璃陶瓷的制备方法是：首先制备出硫系玻璃，而后在略高于玻璃转变温度和远低于玻璃晶化温度的范围内进行热处理，有效控制玻璃的核化和晶化过程，析出大量亚微米量级尺寸均匀的红外倍频晶体，从而制备出具有透红外和倍频功能的硫系玻璃陶瓷。该红外倍频硫系玻璃陶瓷具有宽的透过窗口(0.45～12μm)。本发明的方法具有工艺简单、生产周期短和易于制备出大尺寸样品等优点。
-
公开(公告)号：CN1817810A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610018283.8
申请日：2006-01-24
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C03C3/32
Abstract: 本发明涉及一种超快光开关用硫卤玻璃。超快光开关用硫卤玻璃，其特征在于它主要由In2S3、MX、As2S3和GeS2原料制备而成，各原料所占摩尔％为：In2S3：20～35，MX：25～40，As2S3：4～10，GeS2：20－50，各原料含量之总和为100摩尔％；其中，MX为CsCl、CsBr、CsI中的任意一种或二种及二种以上的混合，二种及二种以上的混合时，为任意配比。本发明具有优良的综合品质，大的三阶非线性系数、在通讯波长处较小的非线性吸收、亚皮秒的超快光响应速度、较好的玻璃形成能力、较低的本征损耗、宽的透过窗口、较大的线性光学折射率。
-
公开(公告)号：CN101811829A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010140259.8
申请日：2010-03-31
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C03C10/16
Abstract: 本发明提供了一种具有离子导体功能的硫系微晶玻璃材料，其特征在于它的摩尔组成按化学式表示为：(100-x-y)GeS2·xGa2S3·yLiI，其中x＝20～25，y＝10～20。其制备方法是先使用熔融淬冷法制备出硫系玻璃，然后通过精密热处理，通过基础玻璃的可控微晶化得到具有离子导体功能的硫系微晶玻璃。与基础硫系玻璃相比，本发明制备的具有离子导体固体电解质功能的硫系微晶玻璃具有明显提高的电导率、改善的耐大气侵蚀能力和热力学稳定性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101544472A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910061842.7
申请日：2009-04-27
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C03C10/02
Abstract: 本发明属于非线性光功能材料领域，具体涉及一种具有倍频功能的硫系玻璃陶瓷及其制备方法。一种具有倍频功能的硫系玻璃陶瓷，其特征在于它的化学表达式为：(100％－x)GeS2·xGa2S3，其中，x表示Ga2S3所占摩尔％，且x＝20～35％(摩尔)，(100％－x)表示GeS2所占摩尔％。该方法制备的玻璃陶瓷具有成本低、工作温度上限较高、物化性能稳定、耐水性好、无毒环境友好的特点，具有宽的透过窗口和倍频功能。
-
公开(公告)号：CN101255010A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810046672.0
申请日：2008-01-10
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种具有宽频带光学窗口的硫卤玻璃陶瓷。一种具有宽频带光学窗口的硫卤玻璃陶瓷，其特征在于它的组成按化学式表示为：(100％－x－y)GeS2·yIn2S3·xMCl，x为MCl所占的摩尔％，y为In2S3所占的摩尔％，(100％－x－y)为GeS2所占的摩尔％，x＝30～50％(摩尔)，y＝15～25％(摩尔)；其中，MCl为NaCl、KCl、RbCl、CsCl中的任意一种或任意二种以上的混合，任意二种以上混合时，为任意配比。本发明制备的硫卤玻璃陶瓷，在0.4～11.5μm整个波段范围内具有较高的透过率，覆盖了整个可见光窗口和三个常用红外大气窗口；与现有的硫卤玻璃相比，具有明显提高的力学性能。可用于实现多窗口共孔径，从而使目前的复杂光电探测系统简化。
-
公开(公告)号：CN101244891A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810047047.8
申请日：2008-03-11
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C03C10/02
Abstract: 本发明属于非线性光学玻璃陶瓷材料领域。一种环境友好型红外倍频硫系玻璃陶瓷，其特征在于它的组成按化学式可表示为：(100％－x)GeS2·xAgGaS2，其中，x表示AgGaS2所占摩尔％，且x＝5～52％(摩尔)，(100％－x)表示GeS2所占摩尔％。它是以Ge、Ga、Ag、S四种高纯原料为主要成分经真空熔制获得的硫系玻璃为基础玻璃，而后在略低于玻璃转变温度的条件下进行核化，再提高温度进行晶化，析出大量均匀分布的亚微米量级尺寸、据有优异红外倍频功能的环境友好型红外倍频硫系玻璃陶瓷。该发明制备的玻璃陶瓷的物化性能稳定、耐水性好、具有较高的玻璃转变温度、无毒环境友好、具有宽透过窗口和倍频功能。可用于倍频、差频、和频和光参量振荡等红外波段光变频技术领域。
-
公开(公告)号：CN101255010B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810046672.0
申请日：2008-01-10
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种具有宽频带光学窗口的硫卤玻璃陶瓷。一种具有宽频带光学窗口的硫卤玻璃陶瓷，其特征在于它的组成按化学式表示为：(100％-x-y)GeS2·yIn2S3·xMCl，x为MCl所占的摩尔％，y为In2S3所占的摩尔％，(100％-x-y)为GeS2所占的摩尔％，x＝30～50％(摩尔)，y＝15～25％(摩尔)；其中，MCl为NaCl、KCl、RbCl、CsCl中的任意一种或任意二种以上的混合，任意二种以上混合时，为任意配比。本发明制备的硫卤玻璃陶瓷，在0.4～11.5μm整个波段范围内具有较高的透过率，覆盖了整个可见光窗口和三个常用红外大气窗口；与现有的硫卤玻璃相比，具有明显提高的力学性能。可用于实现多窗口共孔径，从而使目前的复杂光电探测系统简化。
-
公开(公告)号：CN101244891B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200810047047.8
申请日：2008-03-11
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C03C10/02
Abstract: 本发明属于非线性光学玻璃陶瓷材料领域。一种环境友好型红外倍频硫系玻璃陶瓷的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)选取原料：按照(100％-x)GeS2·xAgGaS2，其中，x表示AgGaS2所占摩尔％，且x＝5～52％(摩尔)，(100％-x)表示GeS2所占摩尔％；选取Ge、Ga、Ag和S四种高纯单质原料备用；2)将单质Ge、Ga、Ag和S原料混合；3)基础玻璃的制备；4)进行核化；完成晶化；消除应力，随炉冷却后出炉，抛光后即得一种环境友好型红外倍频硫系玻璃陶瓷。该发明制备的玻璃陶瓷的物化性能稳定、耐水性好、具有较高的玻璃转变温度、无毒环境友好、具有宽透过窗口和倍频功能。可用于倍频、差频、和频和光参量振荡等红外波段光变频技术领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.017 seconds)
