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公开(公告)号：CN113372765B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110721275.4
申请日：2021-06-28
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C09D11/52
Abstract: 本发明公开了一种MXene基电热油墨及其制备方法和应用，属于电热油墨技术领域。该电热油墨包括MXene纳米片、黄原胶和水，其中：MXene质量分数为5～35％，MXene与黄原胶的质量比为(300～200):(1～10)。通过首先将黄原胶粉末加入到水中充分混合，配置成粘结基材；然后将MXene粉末充分分散到粘结基材中制备得到。该MXene基电热油墨稳定性好，固含量低，绿色环保，成本低廉，用于丝网印刷时，固化温度低，所得丝网印刷电热薄膜可以在X波段下屏蔽99.99％的电磁波，电磁屏蔽特性优异；且在较低的驱动电压下就能实现稳定的升温，可以在严寒环境下有效的工作，达到保温的效果，具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN109762278A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910042726.4
申请日：2019-01-17
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种二维纳米片-聚合物柔性复合薄膜及其制备方法，由二维纳米片和聚合物基体制备而成，所述二维纳米片由具有钙钛矿结构的(Ca,Sr)2(Nb,Ta)3O10体系中的任意一种或一种以上材料制备而成，所述聚合物为聚偏氟乙烯、聚偏氟乙烯-三氟乙烯、聚偏氟乙烯-六氟丙烯、环氧树脂、聚丙烯、聚酰亚胺中的任意一种或一种以上材料制备而成，制备过程包括：高温烧结合成KCa2Nb3O10材料；质子交换反应合成HCa2Nb3O10·1.5H2O材料；剥离成二维纳米片；再通过流延法制备成柔性复合薄膜产品。本发明通过向聚合物基体中添加二维纳米片来实现在较低的无机物添加量下获得性能优异的聚合物基复合材料，从而使复合材料保留聚合物基体的良好柔韧性，提高复合薄膜击穿场强。
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公开(公告)号：CN119465078A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411608270.0
申请日：2024-11-12
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/52 , C23C16/509 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种取向可调控的单斜相二氧化铪薄膜及其制备方法，属于薄膜材料技术领域。其制备：采用双温区热壁水平式化学气相沉积装置，将前驱体置于沉积装置中第一温区，将单晶硅基板置于沉积装置中第二温区；抽真空后加热，第一温区目标温度为190‑210℃，第二温区目标温度为500‑1100℃，控制两者以相同时间到达目标温度；即将到达目标温度时，通入反应气至目标压强100‑2000Pa，将第一温区的前驱体蒸气用反应气输送至第二温区硅基底表面进行反应，反应气的流量为10‑500sccm，反应结束即得单斜相二氧化铪薄膜。该方法可稳定调控单斜相二氧化铪薄膜取向，制备的薄膜结构连续均匀，厚度可控。
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公开(公告)号：CN109762278B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910042726.4
申请日：2019-01-17
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种二维纳米片‑聚合物柔性复合薄膜及其制备方法，由二维纳米片和聚合物基体制备而成，所述二维纳米片由具有钙钛矿结构的(Ca,Sr)2(Nb,Ta)3O10体系中的任意一种或一种以上材料制备而成，所述聚合物为聚偏氟乙烯、聚偏氟乙烯‑三氟乙烯、聚偏氟乙烯‑六氟丙烯、环氧树脂、聚丙烯、聚酰亚胺中的任意一种或一种以上材料制备而成，制备过程包括：高温烧结合成KCa2Nb3O10材料；质子交换反应合成HCa2Nb3O10·1.5H2O材料；剥离成二维纳米片；再通过流延法制备成柔性复合薄膜产品。本发明通过向聚合物基体中添加二维纳米片来实现在较低的无机物添加量下获得性能优异的聚合物基复合材料，从而使复合材料保留聚合物基体的良好柔韧性，提高复合薄膜击穿场强。
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公开(公告)号：CN112239613A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011108940.4
申请日：2020-10-16
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于喷墨打印的二维无机材料水基油墨的制备方法。该方法主要包括二维无机材料的制备、清漆的制备和二维无机材料的分散三个步骤。首先，将层状材料进行剥离得到二维无机材料悬浊液，离心去除未剥离层状材料和较大纳米片获得上层清液，之后进行冷冻干燥，得到絮状固体二维无机材料。其次，将适量粘结剂和表面活性剂加入到溶剂中制得清漆。最后，将适量二维无机材料均匀分散到清漆中，获得二维无机材料油墨。该方法简单、环保、成本较低、油墨稳定性好并且不易堵塞喷嘴，能够广泛应用于喷墨打印工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116759635A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310816040.2
申请日：2023-07-04
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0565 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种铌酸盐系纳米介电填料基复合固态电解质及其制备方法和应用。该复合固态电解质由具有导离子性的高分子聚合物、铌酸盐系纳米介电填料及电解质含氟锂盐组成；其中，按质量百分比计，高分子聚合物为50％‑85％，含氟锂盐为10％‑45％，无机介电填料为0.5％‑10％。本发明通过向聚合物/锂盐基体中引入高介电常数铌酸盐系纳米介电填料来促进锂盐解离，进而提升复合电解质的离子电导率；此外该铌酸盐系纳米介电填料还有利于形成富含氟化锂的界面相。采用以上复合固态电解质组装的全固态电池可实现长寿命稳定循环及良好的倍率性能，同时其安全性能也得到极大改善。
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公开(公告)号：CN116516315A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202211280072.7
申请日：2022-10-19
Applicant: 武汉理工大学 , 广东汇成真空科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种 择优取向的β‑Ga2O3薄膜的制备方法，具体步骤如下：1)将玻璃基板预处理后放入沉积腔体内，并将沉积腔体抽真空至10Pa以下；2)向沉积腔体内通入稀释气体使沉积腔体内达到沉积压强，关闭稀释气体，然后将原料罐内前驱体加热至升华温度，打开激光照射玻璃基板表面，使玻璃基板达到沉积温度，同时向沉积腔体内通入载气和反应气进行沉积，在玻璃基板上沉积得到β‑Ga2O3薄膜。本发明采用激光化学气相沉积法，通过调整实验参数控制薄膜的取向，在低成本的石英玻璃基板表面成功制备出 择优取向的β‑Ga2O3多晶薄膜，对于拓宽β‑Ga2O3多晶薄膜的应用范围具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN112079384A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010983796.2
申请日：2020-09-18
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01G33/00 , C01G23/047 , C01G35/00 , C01G55/00
Abstract: 本发明提供一种超声剥离氧化物纳米片的方法，氧化物纳米片为Ti0.91O2、Ti0.87O2、Nb6O17、Nb3O8、TiNbO5、Ti2NbO7、Ti5NbO14、A2Nan‑3MnO3n+1、LaNb2O7、SrTa2O7、RuO2.1和RuO2中的任意一种。本发明的方法具体步骤为：制备氧化物质子相粉末；按照配比加入TBAOH溶液，加入一定量的超纯水；利用超声仪器剥离氧化物纳米片；将所得混合溶液进行超速离心，得到氧化物纳米片。采用本发明方法制备的氧化物纳米片为单层。本发明能够提高剥离氧化物纳米片的产率与效率，所得到的氧化物纳米片有望在复合材料、电子元器件等相关领域得到应用。
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公开(公告)号：CN117721539B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202311764239.1
申请日：2023-12-20
Applicant: 武汉理工大学 , 广东汇成真空科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有超晶格结构的二维Bi4Se3单晶及其制备方法，所述具有超晶格结构的二维Bi4Se3单晶为正六边形形状的单层单晶纳米片，等效直径为5～20μm，厚度为4～25nm。本发明提供的具有超晶格结构的二维Bi4Se3单晶为厚度可控的大尺寸单晶，最低可至单层，其作为二维层面下的光电材料具有一定的应用前景。
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公开(公告)号：CN117737859B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202311765497.1
申请日：2023-12-20
Applicant: 武汉理工大学 , 广东汇成真空科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有双轴拉伸应变的二维Bi2O2Se单晶及其制备方法，所述具有双轴拉伸应变的二维Bi2O2Se单晶具有正方形纳米片结构，正方形纳米片以平行方式排列生长，双轴拉伸应变为2.8～8％。本发明提供的二维Bi2O2Se单晶双轴拉伸应变高达2.8～8％，样品出现理论研究中预测的铁电性，在铁电存储材料方面有着广阔的应用前景。
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