公开(公告)号：CN107818207A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201711007745.0

申请日：2017-10-25

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 朱国荣 ,  曾定军 ,  戚明轩 ,  祁尔杰 ,  黄云辉 ,  罗冰洋

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提出一种基于寿命模型参数波动的精确评估IGBT可靠性的方法，该方法包括以下步骤：S1、根据IGBT的型号和使用环境，确定IGBT所在电路的电气参数；S2、确定IGBT的热应力：根据IGBT所在电路的电气参数，在仿真软件中搭建电路图，根据IGBT的Datasheet中的损耗参数和热模型，仿真得到IGBT的结温随时间变化的波形；S3、结合Bayerer模型参数和IGBT的结温，进行的IGBT寿命评估。本发明可有效评估IGBT的可靠性。

公开(公告)号：CN107818207B

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN201711007745.0

申请日：2017-10-25

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 朱国荣 ,  曾定军 ,  戚明轩 ,  祁尔杰 ,  黄云辉 ,  罗冰洋

IPC: G06F30/30 ,  G06F30/20 ,  G06F111/08

Abstract: 本发明提出一种基于寿命模型参数波动的精确评估IGBT可靠性的方法，该方法包括以下步骤：S1、根据IGBT的型号和使用环境，确定IGBT所在电路的电气参数；S2、确定IGBT的热应力：根据IGBT所在电路的电气参数，在仿真软件中搭建电路图，根据IGBT的Datasheet中的损耗参数和热模型，仿真得到IGBT的结温随时间变化的波形；S3、结合Bayerer模型参数和IGBT的结温，进行的IGBT寿命评估。本发明可有效评估IGBT的可靠性。