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公开(公告)号:CN109841422A
公开(公告)日:2019-06-04
申请号:CN201910212697.1
申请日:2019-03-20
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种Co3O4/Co2P同轴异质结构材料及其制备方法,包括有以下步骤:1)将氢氧化钴纳米线采用磷化氢气氛烧结得到磷化钴纳米线;2)将磷化钴纳米线经过快速退火处理,使表面层氧化,得到Co3O4/Co2P同轴异质结构微型超级电容器电极材料。本发明的有益效果是:对于Co3O4/Co2P同轴异质结构,外层的Co3O4将提供赝电容容量,而内层的Co2P具有高导电性;同时,因电化学反应仅发生在材料表面或近表面,在较高的反应电势下由于内层Co2P无法直接接触吸附溶液离子,并不会催化水分解。因此,该同轴异质结构保持了较高的容量和循环稳定性,也具有较好的电子传导能力,倍率性能得到提高。
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公开(公告)号:CN109841422B
公开(公告)日:2020-12-22
申请号:CN201910212697.1
申请日:2019-03-20
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种Co3O4/Co2P同轴异质结构材料及其制备方法,包括有以下步骤:1)将氢氧化钴纳米线采用磷化氢气氛烧结得到磷化钴纳米线;2)将磷化钴纳米线经过快速退火处理,使表面层氧化,得到Co3O4/Co2P同轴异质结构微型超级电容器电极材料。本发明的有益效果是:对于Co3O4/Co2P同轴异质结构,外层的Co3O4将提供赝电容容量,而内层的Co2P具有高导电性;同时,因电化学反应仅发生在材料表面或近表面,在较高的反应电势下由于内层Co2P无法直接接触吸附溶液离子,并不会催化水分解。因此,该同轴异质结构保持了较高的容量和循环稳定性,也具有较好的电子传导能力,倍率性能得到提高。
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