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公开(公告)号:CN117926099A
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202311804498.2
申请日:2023-12-26
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种半金属Co2MnGa热电材料的制备方法,首先按配比称取Mn粉和Ga块,混合、真空密封,加热进行液固相反应形成Mn‑Ga合金;然后将所得Mn‑Ga合金研磨成粉,按比例加入Co粉混合均匀,压制成块体;将所得块体真空密封,加热进行固相反应,淬火冷却;研磨成粉,进行放电等离子体烧结,即得Co2MnGa块体热电材料。本发明所述半金属Co2MnGa热电材料以Mn粉、Ga块和Co粉为主要原料,采用分步混料、分步反应和放电等离子体烧结机制,可在简化制备流程的基础上,有效改善Mn和Ga氧化等问题,保证所得复合材料的成分均匀性,同时有利于进一步提升所得Co2MnGa材料的热电性能,适合推广应用。
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公开(公告)号:CN117926099B
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202311804498.2
申请日:2023-12-26
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种半金属Co2MnGa热电材料的制备方法,首先按配比称取Mn粉和Ga块,混合、真空密封,加热进行液固相反应形成Mn‑Ga合金;然后将所得Mn‑Ga合金研磨成粉,按比例加入Co粉混合均匀,压制成块体;将所得块体真空密封,加热进行固相反应,淬火冷却;研磨成粉,进行放电等离子体烧结,即得Co2MnGa块体热电材料。本发明所述半金属Co2MnGa热电材料以Mn粉、Ga块和Co粉为主要原料,采用分步混料、分步反应和放电等离子体烧结机制,可在简化制备流程的基础上,有效改善Mn和Ga氧化等问题,保证所得复合材料的成分均匀性,同时有利于进一步提升所得Co2MnGa材料的热电性能,适合推广应用。
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