公开(公告)号：CN105001867B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201510456219.7

申请日：2015-07-29

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 王友法 ,  周斌 ,  夏冬林 ,  刘欣 ,  李乾

IPC: C09K11/85

Abstract: 本发明涉及多色调谐发光的KYF4上转换荧光材料及其制备方法，其化学表达式为：β-KYF4:X％Yb3+,Y％Er3+/Tm3+，其包括有β-KYF4:X％Yb3+/2％Er3+、β-KYF4:20％Yb3+/0.2％Er3+或β-KYF4:25％Yb3+/0.2％Tm3+，其中，在β-KYF4:X％Yb3+/2％Er3+中稀土敏化离子Yb3+依次按照X％＝20％,35％,50％和78％的比例取代主机元素Y3+。本发明的有益效果是：在980nm半导体激光器的激励下显示了从紫外到近红外区域的多光谱性能，并发射出明亮的上转换发光，有利于避免光损伤和实现高增益，提高上转换发光性能。

公开(公告)号：CN104465810B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201410756475.3

申请日：2014-12-10

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 夏冬林 ,  周斌 ,  刘欣 ,  李乾 ,  王友法 ,  熊真敏

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及具有上转换层的铜锌锡硫硒类薄膜太阳能电池及其制备方法，包含：基板；背电极，形成于该基板上，通过磁控溅射的方法沉积所得；光电转换层，其为铜锌锡硫硒类薄膜；缓冲层，其为硫化镉薄膜，形成于该光电转换层之上；窗口层，形成于该缓冲层之上；减反射层，其为MgF2薄膜，形成于该窗口层之上；上电极，其为栅状Ni-Al合金，形成于该减反射层之上，所述的背电极与光电转换层之间设有上转换层。本发明的有益效果是：避免太阳热辐射对电池使用寿命的影响；该方法具有操作简便，制备成本低，安全无毒且绿色环保等优点；工艺步骤控制性好，有利于制成大晶粒、致密、光电性能良好的上转换层和光电转换层薄膜，易于大规模生产。

公开(公告)号：CN104465810A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410756475.3

申请日：2014-12-10

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 夏冬林 ,  周斌 ,  刘欣 ,  李乾 ,  王友法 ,  熊真敏

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及具有上转换层的铜锌锡硫硒类薄膜太阳能电池及其制备方法，包含：基板；背电极，形成于该基板上，通过磁控溅射的方法沉积所得；光电转换层，其为铜锌锡硫硒类薄膜；缓冲层，其为硫化镉薄膜，形成于该光电转换层之上；窗口层，形成于该缓冲层之上；减反射层，其为MgF2薄膜，形成于该窗口层之上；上电极，其为栅状Ni-Al合金，形成于该减反射层之上，所述的背电极与光电转换层之间设有上转换层。本发明的有益效果是：避免太阳热辐射对电池使用寿命的影响；该方法具有操作简便，制备成本低，安全无毒且绿色环保等优点；工艺步骤控制性好，有利于制成大晶粒、致密、光电性能良好的上转换层和光电转换层薄膜，易于大规模生产。

公开(公告)号：CN105060338A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510456207.4

申请日：2015-07-29

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 王友法 ,  周斌 ,  夏冬林 ,  刘欣 ,  李乾

IPC: C01G19/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及相选择性铜锌锡硫纳米晶的制备方法，包括以下步骤：1)将金属化合物原料和有机溶剂放入容器，将温度缓慢升至100-180℃，搅拌，配制金属前驱体反应体系；2)将硫粉或/和十二硫醇加入有机溶剂中并超声溶解；3)将步骤2)所得的S-OA-DDT硫源前驱体反应体系迅速注入步骤1)所得的金属前驱体反应体系中，形成混合溶液反应体系；4)将混合溶液反应体系升温，反应，随即自然冷却至室温，制备铜锌锡硫纳米晶胶体溶液；5)将步骤4)所得铜锌锡硫纳米晶胶体溶液用离心洗涤，经真空干燥，即得。本发明的有益效果是：采用本方法可以实现铜锌锡硫粉末材料的相结构从锌黄锡矿到纤锌矿的改变，有利于提高光电转换效率。

公开(公告)号：CN105001867A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510456219.7

申请日：2015-07-29

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 王友法 ,  周斌 ,  夏冬林 ,  刘欣 ,  李乾

IPC: C09K11/85

Abstract: 本发明涉及多色调谐发光的KYF4上转换荧光材料及其制备方法，其化学表达式为：β-KYF4:X％Yb3+,Y％Er3+/Tm3+，其包括有β-KYF4:X％Yb3+/2％Er3+、β-KYF4:20％Yb3+/0.2％Er3+或β-KYF4:25％Yb3+/0.2％Tm3+，其中，在β-KYF4:X％Yb3+/2％Er3+中稀土敏化离子Yb3+依次按照X％＝20％,35％,50％和78％的比例取代主机元素Y3+。本发明的有益效果是：在980nm半导体激光器的激励下显示了从紫外到近红外区域的多光谱性能，并发射出明亮的上转换发光，有利于避免光损伤和实现高增益，提高上转换发光性能。