公开(公告)号：CN105779975A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610200909.0

申请日：2016-03-31

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 赵修建 ,  何莜嘉 ,  刘保顺

IPC: C23C18/12

Abstract: 本发明涉及一种水溶液溶胶凝胶法制备多孔二氧化钒薄膜，步骤如下：1)制备四价钒离子水溶液溶胶：在50?80℃水浴条件下向超纯水中加入柠檬酸，溶解后加入V2O5，搅拌得到四价钒离子水溶液，再加入成膜剂，混合均匀得到四价钒离子水溶液溶胶，陈放一天后得到相应凝胶；2)制备多孔二氧化钒薄膜：在干净的基片表面涂布步骤1)所得凝胶，干燥后得到胶膜，将胶膜置于真空管式炉中，抽真空后通入惰性气体，在惰性气氛下热处理得到具有半导体?金属相变特性的VO2薄膜。

公开(公告)号：CN105779975B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201610200909.0

申请日：2016-03-31

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 赵修建 ,  何莜嘉 ,  刘保顺

IPC: C23C18/12

Abstract: 本发明涉及一种水溶液溶胶凝胶法制备多孔二氧化钒薄膜，步骤如下：1)制备四价钒离子水溶液溶胶：在50‑80℃水浴条件下向超纯水中加入柠檬酸，溶解后加入V2O5，搅拌得到四价钒离子水溶液，再加入成膜剂，混合均匀得到四价钒离子水溶液溶胶，陈放一天后得到相应凝胶；2)制备多孔二氧化钒薄膜：在干净的基片表面涂布步骤1)所得凝胶，干燥后得到胶膜，将胶膜置于真空管式炉中，抽真空后通入惰性气体，在惰性气氛下热处理得到具有半导体‑金属相变特性的VO2薄膜。