公开(公告)号：CN112299481A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010898087.4

申请日：2020-08-31

Applicant: 武汉工程大学

Inventor： 陈嵘 ,  陶雄 ,  胡晓武 ,  苏春平

IPC: C01G29/00 ,  B01J20/02 ,  B01J20/28 ,  B01J20/30 ,  B01J27/04 ,  B01J35/10 ,  B82Y40/00 ,  C02F1/30 ,  C02F101/22

Abstract: 本发明公开了一种Bi2S3的制备方法，它以铋源和复合硫源为主要原料进行溶剂热反应，再经洗涤、干燥，得Bi2S3产物。本发明采用一步溶剂热法，并首次提出以复合硫源代的替释传放统速的度单差一异硫及源不来同合硫成源B与i2BSi33，+利形用成的反应物过质程之中间的不同相硫互源作用，调控Bi2S3的生长机制，可有效提升所得Bi2S3的比表面积，并降低其粒径，可对Cr(VI)表现出优异的吸附与催化还原性能，为高性能Bi2S3的制备提供一条全新思路。

公开(公告)号：CN112299481B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202010898087.4

申请日：2020-08-31

Applicant: 武汉工程大学

Inventor： 陈嵘 ,  陶雄 ,  胡晓武 ,  苏春平

IPC: C01G29/00 ,  B01J20/02 ,  B01J20/28 ,  B01J20/30 ,  B01J27/04 ,  B01J35/10 ,  B82Y40/00 ,  C02F1/30 ,  C02F101/22

Abstract: 本发明公开了一种Bi2S3的制备方法，它以铋源和复合硫源为主要原料进行溶剂热反应，再经洗涤、干燥，得Bi2S3产物。本发明采用一步溶剂热法，并首次提出以复合硫源代替传统的单一硫源来合成Bi2S3，利用反应过程中不同硫源的释放速度差异及不同硫源与Bi3+形成的物质之间的相互作用，调控Bi2S3的生长机制，可有效提升所得Bi2S3的比表面积，并降低其粒径，可对Cr(VI)表现出优异的吸附与催化还原性能，为高性能Bi2S3的制备提供一条全新思路。