公开(公告)号：CN113991025A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111192187.6

申请日：2021-10-13

Applicant: 武汉工程大学

Inventor： 秦平力 ,  肖岚 ,  王梓逸 ,  石畅 ,  余雪里 ,  马良 ,  陈相柏

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种以MoS2纳米片钝化光敏层相邻界面的钙钛矿光伏电池及其制备方法。该电池依次包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿光敏活性层、空穴传输层和金属电极；还包括界面钝化层，其中界面钝化层为MoS2纳米片；MoS2纳米片通过球磨法制备得到；界面钝化层位于电子传输层和钙钛矿光敏活性层之间，或钙钛矿光敏活性层和空穴传输层之间。本发明通过简单球磨法所得MoS2纳米片具有较大比表面积和介孔，有效地增大与钙钛矿光敏层和界面层的接触，增加载流子的迁移通道，降低载流子在界面处堆积，平衡界面层对各自载流子抽取率，减少界面复合，从而开发出效率高、寿命长、成本低、稳定性好、高效界面调控技术及其相应光伏器件。