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公开(公告)号：CN118957747A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411071501.9
申请日：2024-08-06
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种杂化钙钛矿单晶微米片材料的制备方法。其步骤为：1)以PbI2粉末作为反应源，采用化学气相沉积(CVD)系统，在衬底上真空加热生长得到含有六边形和梯形形状的PbI2微米片；2)以FAI粉末作为反应源，采用化学气相沉积(CVD)系统，在步骤1)所得表面具有六边形和梯形形状PbI2微米片的衬底上继续真空加热生长得到含有六边形和梯形形状的FAPbI3单晶微米片，其中梯形垂直于衬底生长，六边形平行于衬底生长，即得杂化钙钛矿单晶微米片材料。该方法制备过程简单，所得FAPbI3单晶质量高，杂质少，具有更大的激子结合能，有利于光吸收效率和载流子寿命，具有重要的应用前景，有利于工业化推广。
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