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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105259214A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510732235.4
申请日：2015-10-31
Applicant: 武汉工程大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明涉及一种甲苯、二甲苯气敏材料及其制备方法以及气敏器件的制备方法，所述甲苯、二甲苯气敏材料包括：Ⅰ)基质分层花状ZnO纳米粉体；Ⅱ)Rh2O3，其掺入量为基质分层花状ZnO纳米粉体质量的0.1-5％。将甲苯、二甲苯气敏材料以适量无水乙醇调成糊状，然后将其均匀涂敷在氧化铝陶瓷电极管表面，自然阴干后经退火处理制得气敏电极管，最后按照旁热式结构传统工艺对气敏电极管进行焊接、电老化、封装，制得甲苯、二甲苯气敏器件。本发明提供的甲苯、二甲苯气敏材料对甲苯、二甲苯灵敏度高，选择性好，响应时间短，符合气敏器件的要求。
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公开(公告)号：CN105731541B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201610029093.X
申请日：2016-01-15
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种γ‑钼酸铋纳米晶片制备方法，其制备方法包括以下步骤：1)以异丙醇为溶剂，将硝酸铋和1‑3丙二醇进行溶剂热反应，再经过滤、洗涤、烘干得1‑3丙二醇铋；2)将所得1‑3丙二醇铋均匀分散在钼酸钠水溶液中，调节所得溶液体系的pH值为0‑3，然后进行水热反应，再经过滤、洗涤、烘干得γ‑钼酸铋纳米晶片。本发明以硝酸铋、异丙醇、钼酸钠为主要原料，采用两步法制备γ‑钼酸铋纳米晶片，涉及的制备工艺设备简单、反应条件温和、能耗小，工艺独特新颖，制备的γ‑钼酸铋纳米晶片纯度高、比表面积大，晶粒尺寸可控可见光光催化性能优异。
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公开(公告)号：CN105731541A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610029093.X
申请日：2016-01-15
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种γ?钼酸铋纳米晶片制备方法，其制备方法包括以下步骤：1)以异丙醇为溶剂，将硝酸铋和1?3丙二醇进行溶剂热反应，再经过滤、洗涤、烘干得1?3丙二醇铋；2)将所得1?3丙二醇铋均匀分散在钼酸钠水溶液中，调节所得溶液体系的pH值为0?3，然后进行水热反应，再经过滤、洗涤、烘干得γ?钼酸铋纳米晶片。本发明以硝酸铋、异丙醇、钼酸钠为主要原料，采用两步法制备γ?钼酸铋纳米晶片，涉及的制备工艺设备简单、反应条件温和、能耗小，工艺独特新颖，制备的γ?钼酸铋纳米晶片纯度高、比表面积大，晶粒尺寸可控可见光光催化性能优异。
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公开(公告)号：CN105203601A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510732765.9
申请日：2015-10-31
Applicant: 武汉工程大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种氢气气敏材料及其制备方法以及氢气气敏器件的制备方法，所述氢气气敏材料包括：Ⅰ)基质SnO2纳米粉体；Ⅱ)Rh2O3，其掺入量为基质SnO2纳米粉体质量的0.1-5％。其制备方法为：1)向SnCl4·5H2O的水溶液中加入葡萄糖，混合均匀得到混合溶液，将混合溶液转移至水热反应釜中反应，随后将反应产物离心分离并洗涤、干燥后烧结得到基质珊瑚状SnO2纳米粉体；2)向珊瑚状SnO2纳米粉体加入可溶性含Rh化合物的乙醇溶液，精细研磨直至乙醇完全挥发得氢气气敏坯料，再经后续退火处理得到氢气气敏材料。本发明提供的氢气气敏材料对氢气灵敏度高，选择性好，响应时间短，符合氢气气敏器件的要求。
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公开(公告)号：CN105668627A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610029098.2
申请日：2016-01-15
Applicant: 武汉工程大学
CPC classification number: C01G39/006 , B82Y30/00 , C01P2002/72 , C01P2004/64
Abstract: 本发明公开了一种纳米钼酸铋钠及其制备方法，以硝酸铋、甘油、钼酸钠为主要原料，采用两步法制备纳米钼酸铋钠粉体，具体步骤如下：1)在异丙醇溶剂中，将硝酸铋和甘油进行溶剂热反应制得甘油铋；2)将所得甘油铋均匀分散在钼酸钠水溶液中，进行水热反应得到纳米钼酸铋钠。本发明涉及的反应设备简单、反应条件温和、能耗小；制备的钼酸铋钠粉体纯度高、颗粒小，可用于制备稀土掺杂激光基质材料，也可用作光催化剂材料。
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