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公开(公告)号：CN118376845A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410346250.4
申请日：2024-03-26
Applicant: 武汉工程大学
IPC: G01R27/08
Abstract: 本发明涉及薄膜导电率测量技术领域，具体涉及一种金电极高通量无损测量薄膜导电率的系统及方法。本发明利用金的导电损失性小和良好的抗化学腐蚀性，用金电极板作为基础，用恒电流源提供电流，通过金探针测量与薄膜直接相连的多组金电极间的电压差作为电压数据，再结合薄膜的几何尺寸得到薄膜电阻率，实现了高通量检测，且测量结果可实时读取，操作简单易行，测量效率高；本发明通过金探针测量金电极间的电压差，避免了探针与待测薄膜的直接接触，进而防止探针对薄膜材料的损害，实现了无损检测，同时本发明采用恒电流源提供稳定的电流，将传统测量方法的点电源转化为线电源，结合多次测量结果取平均值，能够大幅提高测量精度。
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