公开(公告)号：CN118600400B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411059376.X

申请日：2024-08-03

Applicant: 武汉工程大学

Inventor： 王小敏 ,  代国昊 ,  胡朴

IPC: C23C18/12 ,  H10K99/00 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明涉及半导体光伏材料与器件技术领域，尤其涉及一种表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜及其制备方法和太阳能电池。包括：S1、将酒石酸锑钾与硫源混合反应得到Sb2S3前驱液；S2、采用化学水浴法沉积Sb2S3薄膜至预设厚度后，将Se源通过蠕动泵泵入Sb2S3前驱液内，并调控沉积薄膜的S‑Se元素梯度分布，得到Sb2(S,Se)3前驱膜；S3、将Sb2(S,Se)3前驱膜进行退火处理，得到表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜。本发明通过微流蠕动泵辅助化学水浴法合成了表面均匀致密，体相缺陷少的表面富硒梯度组分Sb2(S,Se)3薄膜，可提高太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN118600400A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202411059376.X

申请日：2024-08-03

Applicant: 武汉工程大学

Inventor： 王小敏 ,  代国昊 ,  胡朴

IPC: C23C18/12 ,  H10K99/00 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明涉及半导体光伏材料与器件技术领域，尤其涉及一种表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜及其制备方法和太阳能电池。包括：S1、将酒石酸锑钾与硫源混合反应得到Sb2S3前驱液；S2、采用化学水浴法沉积Sb2S3薄膜至预设厚度后，将Se源通过蠕动泵泵入Sb2S3前驱液内，并调控沉积薄膜的S‑Se元素梯度分布，得到Sb2(S,Se)3前驱膜；S3、将Sb2(S,Se)3前驱膜进行退火处理，得到表面富硒的Sb2(S,Se)3薄膜。本发明通过微流蠕动泵辅助化学水浴法合成了表面均匀致密，体相缺陷少的表面富硒梯度组分Sb2(S,Se)3薄膜，可提高太阳能电池的光电转换效率。