公开(公告)号：CN119517182A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411524459.1

申请日：2024-10-30

Applicant: 武汉大学深圳研究院

Inventor： 张召富 ,  程春敏 ,  郭宇铮 ,  吴改 ,  梁康 ,  沈威 ,  汪启军 ,  孙祥

IPC: G16C10/00 ,  C30B29/04 ,  C30B23/02 ,  C30B25/16 ,  G16C20/20

Abstract: 本发明涉及金刚石衬底异质外延生长薄膜的技术领域，具体涉及一种改善金刚石衬底异质外延生长氮化镓的仿真方法，步骤为：建立不同厚度的氮化硼终端金刚石薄膜(111)表面模型；对表面模型进行结构优化，对结构优化后的表面模型进行第一性原理计算；对结构优化后的表面模型分别施加飞秒激光场，计算出碳碳键未被激发、而氮化硼中氮硼键和氮化镓中镓氮键被激发的激光强度、频率参数范围；根据获得的数据，施加不同梯度温度场进行第一性原理计算，获得在氮化硼中氮硼键断裂且氮化镓中镓氮键成键且其他键保持稳定的激光强度、频率和温度范围。本发明为改善金刚石衬底表面生长氮化镓提供有效方法，改善金刚石异质结电学性能的发展应用。