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公开(公告)号：CN111323957A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010043382.1
申请日：2020-01-15
Applicant: 武汉大学
IPC: G02F1/1334 , G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02F1/1333 , G09F9/30
Abstract: 本发明还提供了一种彩色柔性显示模块，包括依次自上而下的透明柔性基片、透明上电极层、聚合物分散液晶光电层、等离激元结构色层、下电极层和柔性衬底层；聚合物分散液晶光电层以向列相液晶、聚合物单体和光引发剂为主要原料制成；等离激元结构色层包括以可见光反射金属为主要材料制成的可见光反射金属层，以及阵列在可见光反射金属层上的多个等离激元结构。本发明还提供了一种彩色柔性显示模块的制备方法。本发明的有益效果为：使用表面有等离激元结构的高可见光反射率金属层作为色彩层，利用表面等离激元对特定可见光谱的增强效应，对可见光进行选择性增强反射，提高显示对比度；结合聚合物分散液晶柔性显示技术，从而实现高对比度彩色柔性显示。
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公开(公告)号：CN112798927A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011572718.X
申请日：2020-12-24
Applicant: 武汉大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及限幅器芯片测试领域，具体涉及一种限幅器芯片大信号指标的测试系统及方法，系统包括信号源，与信号源依次连接的功率放大器、隔离器和耦合器，与功率放大器依次连接的电源调制器和直流源，分别与耦合器连接的第一衰减器、第二衰减器和环形器，第一衰减器连接第一功率计，第二衰减器连接第一负载，环形器连接第二负载，还包括与环形器依次连接的限幅器芯片测试装置、第三衰减器和第二功率计。该系统安装方便，统一接口，易于使用，解决了限幅器芯片连线困难无法开展测试的问题，可以使限幅器芯片大信号指标的测试顺畅进行。
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公开(公告)号：CN111552105A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010238152.0
申请日：2020-03-30
Applicant: 武汉大学
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1334 , G02F1/1335
Abstract: 本发明涉及一种反射型彩色柔性显示屏及其制备方法，该显示屏结构由上至下包括：下表面带有透明电极阵列(2)的透明柔性基片(1)；聚合物分散液晶光电层(3)；透明有机绝缘层(5)及沉积附着在透明有机绝缘层上表面呈阵列分布的金属纳米结构阵列(4)；透明底电极层(6)；透明柔性衬底(7)；其中所述金属纳米结构阵列(4)由多个反射率90％以上金属纳米圆柱呈矩阵排列得到，金属纳米圆柱直径为100-500nm，高10-100nm，间距200-1000nm。本发明提供的反射型彩色柔性显示屏能够提高显示对比度，实现丰富的彩色显示，增强显示亮度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112702034B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202011584984.4
申请日：2020-12-28
Applicant: 武汉大学
IPC: H03G11/02
Abstract: 本发明提出了一种渐变PIN管阵限幅系统。本发明由多个匹配传输线、多个渐变PIN管阵模块、接地电感、正向PIN管、反向PIN管构成，每个渐变PIN管阵模块由PIN管、阻抗变换传输线构成。本发明通过阻抗变换传输线来调整每个渐变PIN管阵模块对外呈现不的阻抗值，靠近输入端的渐变PIN管阵模块的阻抗值最大，靠近输出端的阻抗值最小，从而解决传统限幅器电路第一级渐变PIN管阵模块吸收的功率较大的问题，将大功率尽量均匀的分配在各级渐变PIN管阵模块。本发明通过渐变结构将大功率分配到各级渐变PIN管阵模块，不仅可以通过改善PIN管的材料和结构提升限幅器的耐功率能力，还可以通过使用更多的渐变PIN管阵模块来获得更大的耐功率能力的提升。
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公开(公告)号：CN112751151B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202011548727.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 武汉大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明涉及小型化定向耦合器芯片领域，具体涉及一种高性能小型化定向耦合器芯片，包括分布式电路和集总元件电路，分布式电路采用四端口微带定向耦合器，四端口微带定向耦合器包括输入端、直通端、耦合端和隔离端；耦合端和隔离端分别串联集总元件电路。该耦合器芯片使用了集成电路技术，具有很小的体积和成本，能够实现芯片化。在输出端和直通端使用了微带线结构，具有很低的插入损耗和大功率通过能力；在分布式微带定向耦合器耦合输出端串联了集总元件电路，使耦合端输出的信号在超宽带内具有很高的平坦度；在分布式微带定向耦合器隔离输出端串联了集总元件电路，使隔离端输出的信号在超宽带内具有很高的隔离度。
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公开(公告)号：CN112751151A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011548727.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 武汉大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明涉及小型化定向耦合器芯片领域，具体涉及一种高性能小型化定向耦合器芯片，包括分布式电路和集总元件电路，分布式电路采用四端口微带定向耦合器，四端口微带定向耦合器包括输入端、直通端、耦合端和隔离端；耦合端和隔离端分别串联集总元件电路。该耦合器芯片使用了集成电路技术，具有很小的体积和成本，能够实现芯片化。在输出端和直通端使用了微带线结构，具有很低的插入损耗和大功率通过能力；在分布式微带定向耦合器耦合输出端串联了集总元件电路，使耦合端输出的信号在超宽带内具有很高的平坦度；在分布式微带定向耦合器隔离输出端串联了集总元件电路，使隔离端输出的信号在超宽带内具有很高的隔离度。
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公开(公告)号：CN112750914A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011605046.8
申请日：2020-12-30
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L29/868 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种PIN二极管，为垂直结构，包括由下到上依次堆叠的衬底、N型掺杂半导体、N区欧姆接触区、本征半导体、P型掺杂半导体和P区欧姆接触区；N区互联金属连接到N区欧姆接触区，并作为二极管的负电极与外接电路互联；P区互联金属连接到P区欧姆接触区，并作为二极管的正电极与外接电路互联；所述P区欧姆接触区、P型掺杂半导体、本征半导体和N型掺杂半导体中的至少一个结构为圆角矩形。该二极管在高频条件下阻抗更低，具有更好的导通性，改变了传统PIN二极管在高频电路中发热区分布不均匀的问题，进一步提高了高频电路中圆角矩形PIN二极管的耐功率能力。
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公开(公告)号：CN112702034A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011584984.4
申请日：2020-12-28
Applicant: 武汉大学
IPC: H03G11/02
Abstract: 本发明提出了一种渐变PIN管阵限幅系统。本发明由多个匹配传输线、多个渐变PIN管阵模块、接地电感、正向PIN管、反向PIN管构成，每个渐变PIN管阵模块由PIN管、阻抗变换传输线构成。本发明通过阻抗变换传输线来调整每个渐变PIN管阵模块对外呈现不的阻抗值，靠近输入端的渐变PIN管阵模块的阻抗值最大，靠近输出端的阻抗值最小，从而解决传统限幅器电路第一级渐变PIN管阵模块吸收的功率较大的问题，将大功率尽量均匀的分配在各级渐变PIN管阵模块。本发明通过渐变结构将大功率分配到各级渐变PIN管阵模块，不仅可以通过改善PIN管的材料和结构提升限幅器的耐功率能力，还可以通过使用更多的渐变PIN管阵模块来获得更大的耐功率能力的提升。
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