-
-
公开(公告)号：CN113341227B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110597636.9
申请日：2021-05-31
Applicant: 武汉大学
IPC: G01R23/167
Abstract: 本发明涉及核电子学技术，具体涉及一种用于符合多普勒展宽谱测量的指令系统及控制方法，该系统包括可编程放大器、高速ADC、FPGA数字脉冲分析系统和上位机；FPGA数字脉冲分析系统包括指令集以及用于执行指令的控制器，与控制器连接的双通道滤波与幅度提取模块、千兆以太网发送模块、参数池、数据缓冲区、发送选择器、千兆以太网接收模块和指令校验模块。该系统的控制通过指令来指导控制器完成对整个FPGA数字脉冲分析系统的控制功能，替代了单片机，同时消除了通信速率的瓶颈，使得FPGA数字脉冲分析系统可以同时向上位机发送多种数据而不互相干扰。控制器也可以接收上位机的指令，对任何需要修改的参数进行实时灵活的调整。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113341227A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110597636.9
申请日：2021-05-31
Applicant: 武汉大学
IPC: G01R23/167
Abstract: 本发明涉及核电子学技术，具体涉及一种用于符合多普勒展宽谱测量的指令系统及控制方法，该系统包括可编程放大器、高速ADC、FPGA数字脉冲分析系统和上位机；FPGA数字脉冲分析系统包括指令集以及用于执行指令的控制器，与控制器连接的双通道滤波与幅度提取模块、千兆以太网发送模块、参数池、数据缓冲区、发送选择器、千兆以太网接收模块和指令校验模块。该系统的控制通过指令来指导控制器完成对整个FPGA数字脉冲分析系统的控制功能，替代了单片机，同时消除了通信速率的瓶颈，使得FPGA数字脉冲分析系统可以同时向上位机发送多种数据而不互相干扰。控制器也可以接收上位机的指令，对任何需要修改的参数进行实时灵活的调整。
-
公开(公告)号：CN102680500B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201210174938.6
申请日：2012-05-30
Applicant: 武汉大学
IPC: G01N23/06
Abstract: 本发明涉及一个正电子平均寿命分解方法，包括以下步骤：先设定所研究材料体中的缺陷类型以及个数，根据待处理的正电子平均寿命值的大小以及对应的测量温度绘图，然后采用理论上计算所得到的正电子平均寿命的温度关系，构建简化的正电子平均寿命模型函数，再设定约束条件、通过最小二乘法原理，对实验测量的正电子平均寿命进行拟合，并输出结果。本发明不仅可以分解多个相关联缺陷的寿命谱，而且还可以得到缺陷的正电子捕获率、浓度等等物理量，对复杂缺陷体系的研究具有重要实用价值，同时本发明所提供的技术方案还具有良好的扩展性。
-
公开(公告)号：CN110274921A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910051104.8
申请日：2019-01-17
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及核电子学技术，具体涉及一种全数字二维符合多普勒展宽系统，包括第一、第二探测器和上位机；还包括结构相同的第一、第二采集通道，FPGA数字处理平台和千兆以太网口；第一、第二探测器分别与第一、第二采集通道连接，FPGA数字处理平台分别与第一、第二采集通道和千兆以太网口连接，千兆以太网口与上位机相连接。该系统通过采用双通道全数字采集电路简化了系统设计，在FPGA中实现脉冲提取、时间定标和时间符合分析。直接采用ADC对脉冲进行采样，之后进入FPGA数字处理平台进行脉冲整形，基线恢复，堆积识别，幅度提取，时间定标，提高多普勒展宽谱峰本比2-3个数量级。
-
公开(公告)号：CN110274921B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201910051104.8
申请日：2019-01-17
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及核电子学技术，具体涉及一种全数字二维符合多普勒展宽系统，包括第一、第二探测器和上位机；还包括结构相同的第一、第二采集通道，FPGA数字处理平台和千兆以太网口；第一、第二探测器分别与第一、第二采集通道连接，FPGA数字处理平台分别与第一、第二采集通道和千兆以太网口连接，千兆以太网口与上位机相连接。该系统通过采用双通道全数字采集电路简化了系统设计，在FPGA中实现脉冲提取、时间定标和时间符合分析。直接采用ADC对脉冲进行采样，之后进入FPGA数字处理平台进行脉冲整形，基线恢复，堆积识别，幅度提取，时间定标，提高多普勒展宽谱峰本比2‑3个数量级。
-
公开(公告)号：CN102680500A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210174938.6
申请日：2012-05-30
Applicant: 武汉大学
IPC: G01N23/06
Abstract: 本发明涉及一个正电子平均寿命分解方法，包括以下步骤：先设定所研究材料体中的缺陷类型以及个数，根据待处理的正电子平均寿命值的大小以及对应的测量温度绘图，然后采用理论上计算所得到的正电子平均寿命的温度关系，构建简化的正电子平均寿命模型函数，再设定约束条件、通过最小二乘法原理，对实验测量的正电子平均寿命进行拟合，并输出结果。本发明不仅可以分解多个相关联缺陷的寿命谱，而且还可以得到缺陷的正电子捕获率、浓度等等物理量，对复杂缺陷体系的研究具有重要实用价值，同时本发明所提供的技术方案还具有良好的扩展性。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.018 seconds)
