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公开(公告)号：CN113735157B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111109932.6
申请日：2021-09-18
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种花瓣状氧化铜纳米片的制备方法，包括如下步骤：步骤S1：将铜盐溶解到乙醇中制成铜盐溶液，将硫化物溶解到去离子水中制成硫化物溶液；步骤S2：将铜盐溶液和硫化物溶液混合得到混合溶液；步骤S3：将混合溶液在120～180℃加热1～2h，得到干燥的灰黑色中间产物，冷却至室温；步骤S4：将中间产物倒入去离子水中，并滴入氨水进行二次反应，之后，过滤、洗涤、干燥，得到花瓣状氧化铜纳米片。本发明通过引入氨水进行瞬时的二次反应，实现了花瓣状氧化铜纳米片的制备，产物具有良好的花瓣形态，且具有小尺寸的特点。
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公开(公告)号：CN113735157A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111109932.6
申请日：2021-09-18
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种花瓣状氧化铜纳米片的制备方法，包括如下步骤：步骤S1：将铜盐溶解到乙醇中制成铜盐溶液，将硫化物溶解到去离子水中制成硫化物溶液；步骤S2：将铜盐溶液和硫化物溶液混合得到混合溶液；步骤S3：将混合溶液在120～180℃加热1～2h，得到干燥的灰黑色中间产物，冷却至室温；步骤S4：将中间产物倒入去离子水中，并滴入氨水进行二次反应，之后，过滤、洗涤、干燥，得到花瓣状氧化铜纳米片。本发明通过引入氨水进行瞬时的二次反应，实现了花瓣状氧化铜纳米片的制备，产物具有良好的花瓣形态，且具有小尺寸的特点。
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公开(公告)号：CN113293416A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110584597.9
申请日：2021-05-27
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种铜薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：对导电基底进行打磨抛光、清洗和干燥；步骤S2：对导电基底进行改性处理，改性处理方式为：在氮气或氩气中，用氙灯以1～5J/cm2的功率以平行光方式照射，或在500～700℃下加热处理，改性处理时间为1～2h；步骤S3：改性处理完成后，在铜盐电解液中，用电沉积方法在导电基底表面沉积得到铜薄膜。本发明给出了通过对导电基底进行改性处理，进而获得具有不同特性(鳞片状的疏水性、方块状的导电性等)的不同形貌铜薄膜的技术手段。
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公开(公告)号：CN111994940A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010961509.8
申请日：2020-09-14
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种不同形貌结构的CuO纳米晶材料的可控制备方法，制备方法包括以下步骤：配制CuSO4电解液，由五水合硫酸铜晶体、NaCl固体、明胶固体溶解在蒸馏水中制得；制作生长基底，生长基底为圆铜片，将圆铜片先进行退火处理，然后进行超声处理；制备CuO纳米晶，准备电解反应池，开始电解过程；进行后处理，将生长出CuO纳米晶的生长基底进行清洗干燥。本发明相较于其他制备方法能够在不引入添加剂且仅改变反应条件参数的情况下制备出多种不同形貌(片状和微球状)和结构大小的CuO纳米晶，且工艺流程简单，原料成本低廉，生产周期短，效率高。
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公开(公告)号：CN113860353B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202111220425.X
申请日：2021-10-20
Applicant: 武汉大学
IPC: C01G3/02
Abstract: 本发明公开了一种竹叶状氧化铜纳米片及其制备方法。方法如下：步骤S1：将铜盐溶解到去离子水‑乙醇的混合溶液中制成溶液A；将氢氧化钠和柠檬酸三钠溶解到去离子水中制成溶液B；步骤S2：将溶液A和溶液B混合，搅拌均匀后得到具有大量蓝色沉淀的悬浊液C；步骤S3：将悬浊液C在混合气体中80～120℃下加热，得到黑色沉淀产物，冷却至室温；步骤S4：依次采用去离子水和丙酮分别对的沉淀产物进行离心洗涤，每次洗完后离心并倒掉沉淀以上的滤液；步骤S5：烘干沉淀，得到竹叶状氧化铜纳米片。与现有的制备方法相比，产物具有特殊的竹叶状形态、分散性好，且可通过控制温度进一步控制粒径大小，同时具有流程简单，一步合成，易于操作，反应要求的条件低的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113201768B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110356468.4
申请日：2021-04-01
Applicant: 武汉大学
IPC: C25C5/02
Abstract: 本发明提供一种具有多棱角结构的铜颗粒的双阳极电沉积制备方法，包含如下步骤：步骤S1：酸性铜盐电解液倒入电解槽中；步骤S2：将直流阴极和直流阳极分别连接直流电源的负极和正极后，均插入电解槽中的酸性铜盐电解液中；将脉冲阳极连接脉冲电源的正极后，插入电解槽中的酸性铜盐电解液中；步骤S3：搅拌酸性铜盐电解液同时进行电解；步骤S4：电解完成，在直流阴极表面得到多棱角结构的铜颗粒。本发明在传统的直流电沉积技术的基础上通过引入脉冲阳极进行双阳极电沉积，得到的铜颗粒具有更多的棱角数目。
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公开(公告)号：CN113337847B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110509467.9
申请日：2021-05-11
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种具有多棱边结构的立方形铜颗粒的制备方法，其特征在于，包含如下步骤：步骤S1：用铜盐、碱金属氢氧化物、聚乙烯吡咯烷酮和去离子水配制电解液；步骤S2：将阳极片和阴极片垂直插入电解液中，施加首次电解电流进行首次电解；步骤S3：首次电解结束后，对电解液进行搅拌，施加二次电解电流进行二次电解，所述二次电解电流不大于所述首次电解电流大小的三分之一；步骤S4：二次电解结束后，在阴极片表面得到具有多棱边结构的立方形铜颗粒。本发明通过二次电解在立方形铜颗粒上引入多棱边结构，增加铜颗粒比表面积，使其具有更多的活性位点和接触面积，光学和催化性能得以提升。
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公开(公告)号：CN113463151A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110796859.8
申请日：2021-07-14
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种在非金属材料表面镀镍的方法，包括：S1：对待镀非金属材料进行表面除污，浸入胶体钯活化液中活化并解胶浸硫，再次水洗后作为阴极垂直插入电解槽；S2：配制电解液并倒入电解槽，电解液由镍盐、ph缓冲剂、促进剂组成；S3：将一组阳极以特定排列方式及间隔距离垂直插入电解槽，并与非金属材料分别连接电源的正极和负极；S4：设置反应温度为50～60℃，以0.4～0.6A/cm2恒电流密度进行电沉积合成，2～5min后在非金属材料表面制备出均匀的镍镀层。本发明中一组阳极并通过围绕非金属材料排列，为非金属材料各个方向的表面提供均一的电场、浓度等条件来进行电镀的方法，在表面各区域得到了均匀的镍镀层。
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公开(公告)号：CN113201768A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110356468.4
申请日：2021-04-01
Applicant: 武汉大学
IPC: C25C5/02
Abstract: 本发明提供一种具有多棱角结构的铜颗粒的双阳极电沉积制备方法，包含如下步骤：步骤S1：酸性铜盐电解液倒入电解槽中；步骤S2：将直流阴极和直流阳极分别连接直流电源的负极和正极后，均插入电解槽中的酸性铜盐电解液中；将脉冲阳极连接脉冲电源的正极后，插入电解槽中的酸性铜盐电解液中；步骤S3：搅拌酸性铜盐电解液同时进行电解；步骤S4：电解完成，在直流阴极表面得到多棱角结构的铜颗粒。本发明在传统的直流电沉积技术的基础上通过引入脉冲阳极进行双阳极电沉积，得到的铜颗粒具有更多的棱角数目。
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公开(公告)号：CN111463095A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010013495.7
申请日：2020-01-07
Applicant: 武汉大学
IPC: H01J37/22 , H01J37/26 , G01N23/04 , G01N23/20025
Abstract: 本发明公开了一种超高时间分辨原位5D TEM测试装置及其使用方法，属于纳米原位5D TEM测试技术领域，包括：激光模块、原位操作模块、成像模块及观察和记录模块，激光模块包括飞秒激光器、纳秒激光器、数字延迟生成器和反射镜片，原位操作模块包括样品杆和综合操作台，成像模块包括光电阴极、偏转线圈、聚光镜、物镜、中间镜、投影镜，观察和记录模块包括荧光屏和高速摄像机。本发明提供的装置和使用方法将对样品的三维空间变换、360°旋转与纳秒级超高时间分辨相结合，同时还能进行力电性能测试，实现了在超高的空间和时间分辨下对样品的原位TEM测试与表征，具有极大的灵活性和精确度。
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