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公开(公告)号：CN117638634A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311564077.7
申请日：2023-11-20
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 湖北光谷实验室
IPC: H01S5/042
Abstract: 本发明公开一种降低激光器芯片电容的制备方法及结构，方法包括：在芯片的钝化层上的P面键合区形成钝化的Pad层，所述Pad层为与金层低粘附力的介质层；在芯片上制作P面电极，所述P面电极的一部分位于所述Pad层上；基于经过钝化的Pad层与金层的低粘附力，在金丝与P面电极键合时，使金丝将P面电极位于所述Pad层上的部分拉起，且金丝与P面电极保持连接。本发明通过在P面电极键合区填充一层与金层低粘附力的介质层，通过键合工艺金丝键合时，将P电极层拉起来，相当于大大减小了P面电极金属面积，从而大大的降低了芯片电极电容。
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公开(公告)号：CN119781189A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202311301283.9
申请日：2023-10-08
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 湖北光谷实验室
Abstract: 本发明提供一种Y型薄膜铌酸锂电光调制器与制作方法，将电光调制器芯片上的铌酸锂层刻蚀成相应的弯曲波导结构，并将两个弯曲波导结构对称设置于Y型波导结构两侧，保证了两路光程的高度一致，所述弯曲波导结构在保证波导长度的同时，减少了波导所需要占用的空间大小，对于同样长度的波导，可以采用长度更小的芯片进行搭载，同时将信号电极和地电极设置于弯曲波导结构中各段直波导的两侧位置，对波导中的光信号进行调制，实现电光调制器的调制需求。
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公开(公告)号：CN117639937A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210968683.4
申请日：2022-08-12
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 湖北光谷实验室
IPC: H04B10/2507
Abstract: 本发明实施例提供一种波的补偿方法、装置、设备及可读存储介质。其中，所述方法包括：获取所述波对应的中心波长；其中，所述中心波长表征满足第一预设条件的所述波覆盖的光谱范围的中心对应的波长；确定所述中心波长的第一偏移量；在所述第一偏移量满足第二预设条件的情况下，确定所述波的第一补偿参数；基于所述第一补偿参数确定所述中心波长的第二偏移量；根据所述第二偏移量对所述波进行补偿。通过计算出基于中心波长对应的第一偏移量，根据所述第一偏移量对芯片精准筛选，并根据所述第一补偿参数和所述中心波长确定所述中心波长的第二偏移量，基于所述第二偏移量对所述波进行补偿，在保证指标合格的同时，进一步提升了芯片的有效利用率。
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公开(公告)号：CN117666024A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211053584.X
申请日：2022-08-31
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 湖北光谷实验室
Abstract: 本发明涉及一种消除光器件偏振相关频移的方法和装置。其方法部分主要包括：紫外激光辐射步骤，确定将光器件的折射率调制至目标值的改变量，采用紫外激光对光器件的指定区域进行辐射，使其折射率的改变量达到要求值；热风源退火步骤，采用热风源对光器件的辐射区域进行局部退火，以去除由紫外激光引入的应力双折射效应及偏振相关频移；多次交替进行紫外激光辐射步骤、热风源退火步骤，直至去除应力双折射效应及偏振相关频移的同时，使折射率的改变量达到要求值。本发明可以使被辐射的光器件不需要采用刻蚀开槽等消除双折射的复杂工艺流程，即可以实现折射率调制，同时将偏振相关频移降到合理范围内。
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公开(公告)号：CN117639918A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210971246.8
申请日：2022-08-12
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 湖北光谷实验室
IPC: H04B10/079 , H04B10/50 , H04B10/572 , H04B10/58
Abstract: 本发明实施例提供一种波的补偿方法、装置、设备及可读存储介质。其中，所述方法包括：获取所述波对应的中心波长；其中，所述中心波长表征满足第一预设条件的所述波覆盖光谱范围的中心对应的波长；确定所述中心波长的第一偏移量；在所述第一偏移量满足第二预设条件的情况下，基于所述中心波长和所述第一偏移量确定所述波的第一波长参数；基于所述第一波长参数确定所述波的补偿参数；根据所述补偿参数对所述波进行补偿。通过计算出基于中心波长对应的第一偏移量，根据所述第一偏移量对芯片精准筛选，并根据所述第一偏移量和所述中心波长确定对所述波进行补偿的补偿参数，在保证指标合格的同时，进一步提升了芯片的有效利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119175796A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202310750452.0
申请日：2023-06-21
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种切缝方法及切缝装置，所述方法应用于具有切缝标记的波导芯片，所述方法，包括：基于所述波导芯片的第一表面的切缝标记，设置所述波导芯片的第二表面的开槽区域，所述切缝标记在所述波导芯片的第二表面的投影位于所述开槽区域内部；将开槽后的波导芯片固定于切缝基板上，所述开槽区域在所述切缝基板上的投影位于所述切缝基板的切缝区域内部；基于所述波导芯片的第一表面的切缝标记，对所述波导芯片进行切缝，形成所述波导芯片上的细缝。
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公开(公告)号：CN118041437A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211418902.8
申请日：2022-11-14
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H04B10/079
Abstract: 本公开提供一种拼接滤波器的指标确定方法、装置及存储介质，所述拼接滤波器包括：梳状滤波器和波分复用器；所述方法，包括：获取拼接滤波器在第一温度下的第一数据；分别获取拼接滤波器内的梳状滤波器、波分复用器在第二温度下的温度相关参数；基于所述梳状滤波器、所述波分复用器在第二温度下的温度相关参数和所述拼接滤波器的所述第一数据，确定拼接滤波器在所述第二温度下的第二数据；基于拼接滤波器的第一数据和/或第二数据，确定拼接滤波器在第二温度下的指标值。
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公开(公告)号：CN117639917A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210968453.8
申请日：2022-08-12
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H04B10/079
Abstract: 本发明提供一种滤波器指标确定方法、装置、设备和存储介质。其中所述方法包括基于所述滤波器在第一温度下的第一数据和所述滤波器在第二温度下的预设数据，确定所述滤波器的第二温度下的第二数据；基于所述滤波器在第二温度下的第二数据，确定所述滤波器在第二温度下的指标值，该方法简单高效地评估高低温环境下的滤波器指标，成本低且利于生产。还基于所述滤波器在第一温度下的第一数据和所述指标值对应的指标要求，反推出滤波器的预设数据，再根据所述预设数据与温度的对应关系，确定所述滤波器在一定指标要求下的温度范围。
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公开(公告)号：CN117154532A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202210507202.X
申请日：2022-05-11
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了的一种半导体激光器芯片与制备方法，通过将腔面附近保留复合膜作为保护膜，防止金层在解理时直接拉扯InP材料，避免了金层拉扯碎屑吸附在腔面的问题；在制作P面电极金层制作的过程中，分成两次电极制作，第一层制作的金层电极致密且较薄，且在脊台靠近两端部分只有少量保留，保证了再基本解理时不会造成拉扯，第二层制作的金层电极较厚，并且不覆盖脊台靠近两端部分，保证了芯片散热；同时对双沟区域进行了BCB平坦化，避免在解理过程中出现解理纹路；在腔面则采用离子辅助镀膜技术镀上氮化铝钝化层，防止了水汽从光学膜慢慢渗透进入有源层，有效的提高了激光器可靠性。
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公开(公告)号：CN116908965A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310750276.0
申请日：2023-06-21
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种阵列波导光栅，所述阵列波导光栅，包括：输入波导结构，包括：输入波导和输入侧平板波导；输出波导结构，包括：输出波导和输出侧平板波导；阵列波导，位于所述输入波导结构和所述输出波导结构之间，且所述阵列波导分别与所述输入侧平板波导、所述输出侧平板波导连接；其中，所述输入侧平板波导和/或所述输出侧平板波导，包括：第一波导组件，设置有缝隙；两个第二波导组件，对称设置于所述第一波导组件相对的两侧，且所述第二波导组件与所述第一波导组件相连，所述第二波导组件的折射率呈周期性变化。
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