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公开(公告)号：CN106154592B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201610785774.9
申请日：2016-08-31
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: G02F1/03
Abstract: 本发明公开一种并联MZI电光调制器自动偏压的控制方法及其装置，所述并联MZI电光调制器包括由I路子MZI和Q路子MZI并联而成的母MZI，I路子MZI、Q路子MZI、母MZI的光路上分别制作有由中央控制器控制的Q路调相电极、I路调相电极、π/2调相电极，分别获得所述并联MZI电光调制器的Q路调相电极、I路调相电极、π/2调相电极的最佳偏置电压；依次在所述并联MZI电光调制器的Q路调相电极、I路调相电极、π/2调相电极上施加扰动，根据所述并联MZI电光调制器的平均光功率反馈确定是否对其最佳偏置电压进行调整。本发明使得调试设备装置简单，调节过程快捷高效。
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公开(公告)号：CN105717577B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201610196689.9
申请日：2016-03-31
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: G02B6/26
Abstract: 本发明提供一种用于光学耦合的光纤阵列制作方法及耦合方法、器件，光纤阵列制作包括如下步骤：将光纤阵列的裸纤压入V型槽中，裸线末端与V型槽末端对齐，在压入V型槽的裸纤上盖上盖玻片固定，该盖玻片不覆盖V型槽的末端，该盖玻片的末端与V型槽的末端相隔大于与该光纤阵列耦合的硅光芯片台阶深度的距离，使光纤阵列的末端在V形槽的支撑下形成一个台阶；在未被盖玻片盖住的裸纤上点胶固定住裸纤；在光纤阵列末端的台阶处涂上与V型槽末端平齐的填充物；步骤4、将光纤阵列端面抛光，抛光完成后除去填充物，露出台阶。本发明采用台阶型光纤阵列解决了普通光纤阵列由于和芯片耦合端面距离远导致的耦合损耗大的问题。
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公开(公告)号：CN106773144A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611183502.8
申请日：2016-12-20
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种用于硅光调制器自动偏压控制的电压处理方法，所述硅光调制器包括闭环反馈控制电路，所述闭环反馈控制电路根据硅光调制器的输出光信号产生反馈控制电压，并在所述反馈控制电压上叠加扰动电压后形成待加载到硅光调制器偏置电极上的偏置电压，将待加载到硅光调制器偏置电极上的初始偏置电压数值进行补偿运算，以获得实际加载偏置电压，将所述实际加载偏置电压加载到硅光调制器偏置电极上进行自动偏压控制，以使得所述硅光调制器的输出光信号与所述初始偏置电压数值呈线性关系变化；本发明电压处理方法简单，不需要额外设计新的硬件电路，纯软件处理，简单高效。
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公开(公告)号：CN105717577A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610196689.9
申请日：2016-03-31
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: G02B6/26
CPC classification number: G02B6/26
Abstract: 本发明提供一种用于光学耦合的光纤阵列制作方法及耦合方法、器件，光纤阵列制作包括如下步骤：将光纤阵列的裸纤压入V型槽中，裸线末端与V型槽末端对齐，在压入V型槽的裸纤上盖上盖玻片固定，该盖玻片不覆盖V型槽的末端，该盖玻片的末端与V型槽的末端相隔大于与该光纤阵列耦合的硅光芯片台阶深度的距离，使光纤阵列的末端在V形槽的支撑下形成一个台阶；在未被盖玻片盖住的裸纤上点胶固定住裸纤；在光纤阵列末端的台阶处涂上与V型槽末端平齐的填充物；步骤4、将光纤阵列端面抛光，抛光完成后除去填充物，露出台阶。本发明采用台阶型光纤阵列解决了普通光纤阵列由于和芯片耦合端面距离远导致的耦合损耗大的问题。
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公开(公告)号：CN106712854B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201611183338.0
申请日：2016-12-20
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H04B10/50
Abstract: 本发明公开一种MZI外调制器任意工作点的锁定方法及其装置，包括将频率f2方波串扰和频率f1方波串扰由加法器叠加在MZI外调制器上，产生含f1和f2频率分量的总反馈方波；在总反馈方波中提取频率f1方波串扰导致光功率变化的波形作为一阶反馈方波，提取一阶反馈方波的幅值和相位；将一阶反馈方波幅度随时间变化的波形做为二阶反馈方波提取出来确定相位；遍历施加偏置电压，当一阶反馈方波的平均幅值与f1反馈方波的幅度相同且相位相同，记录该电压值对应的一组工作点类型；然后监控二阶反馈方波的相位方向确定另一组工作点类型；由这两组工作点类型的交集确定满足符合所述电压值和相位方向条件的共同工作点锁定，本发明实现MZI外调制器任意工作点的锁定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106411399B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610785993.7
申请日：2016-08-31
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H04B10/079 , H04B10/69 , G02F1/03
Abstract: 本发明公开双并联MZI型电光调制器光学损耗的自动测试方法，包括步骤：设置测试光源的出光波长通道，获得调制器的进光功率和不施加偏置电压时的出光功率P0；调节调制器I路的偏置电压，使调制器的出光功率达到最大；调节调制器Q路的偏置电压，使调制器的出光功率达到最大；调节调制器P路的偏置电压，使调制器的出光功率达到最大；记录调制器此时的出光功率P，将光功率P值减去出光功率P0获得功率增量ΔP，计算获得增量百分比ΔP/P；比较增量百分比ΔP/P和预设的阈值百分比，当增量百分比ΔP/P大于预设的阈值百分比，返回上步骤；若增量百分比ΔP/P小于或等于阈值百分比，则进入计算该波长通道的光学损耗；本发明测试方法简捷、测试电路设计简单。
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公开(公告)号：CN105515654B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510855956.4
申请日：2015-11-30
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H04B10/079
Abstract: 本发明公开了一种并联MZI结构开关电压和消光比的测量方法，用于两个子MZI并联而成的母MZI结构中，第一子MZI、第二子MZI、母MZI的光路上分别制作有相对应的第一调相电极(5)，第二调相电极(4)、第三调相电极(6)；给第三调相电极(6)加上动态相移电压Vθ后(0°≤θ≤90°)，先后改变第一调相电极(5)、第二调相电极(4)电压来改变第一子MZI(2)、第二子MZI(3)的输出光强度，分别监控母MZI的输出功率，获得第一子MZI的开关电压V1‑on、V1‑off以及第二子MZI的开关电压V2‑on和V2‑off；通过分别选通和关断第一子MZI、第二子MZI且保证第一子MZI和第二子MZI实时正交，得到的第一子MZI和第二子MZI的消光比。本发明测量方法可以提高效率，适用于生产中的大批量测试。
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公开(公告)号：CN106712854A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611183338.0
申请日：2016-12-20
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H04B10/50
CPC classification number: H04B10/50572 , H04B10/50577
Abstract: 本发明公开一种MZI外调制器任意工作点的锁定方法及其装置，包括将频率f2方波串扰和频率f1方波串扰由加法器叠加在MZI外调制器上，产生含f1和f2频率分量的总反馈方波；在总反馈方波中提取频率f1方波串扰导致光功率变化的波形作为一阶反馈方波，提取一阶反馈方波的幅值和相位；将一阶反馈方波幅度随时间变化的波形做为二阶反馈方波提取出来确定相位；遍历施加偏置电压，当一阶反馈方波的平均幅值与f1反馈方波的幅度相同且相位相同，记录该电压值对应的一组工作点类型；然后监控二阶反馈方波的相位方向确定另一组工作点类型；由这两组工作点类型的交集确定满足符合所述电压值和相位方向条件的共同工作点锁定，本发明实现MZI外调制器任意工作点的锁定。
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公开(公告)号：CN105515654A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510855956.4
申请日：2015-11-30
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H04B10/079
CPC classification number: H04B10/07955 , H04B10/0795
Abstract: 本发明公开了一种并联MZI结构开关电压和消光比的测量方法，用于两个子MZI并联而成的母MZI结构中，第一子MZI、第二子MZI、母MZI的光路上分别制作有相对应的第一调相电极(5)，第二调相电极(4)、第三调相电极(6)；给第三调相电极(6)加上动态相移电压Vθ后(0°≤θ≤90°)，先后改变第一调相电极(5)、第二调相电极(4)电压来改变第一子MZI(2)、第二子MZI(3)的输出光强度，分别监控母MZI的输出功率，获得第一子MZI的开关电压V1-on、V1-off以及第二子MZI的开关电压V2-on和V2-off；通过分别选通和关断第一子MZI、第二子MZI且保证第一子MZI和第二子MZI实时正交，得到的第一子MZI和第二子MZI的消光比。本发明测量方法可以提高效率，适用于生产中的大批量测试。
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公开(公告)号：CN106549714A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610929281.8
申请日：2016-10-31
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H04B10/548
CPC classification number: H04B10/548
Abstract: 本发明公开一种基于IQ电光调制器正交电压的控制方法及控制装置，IQ电光调制器采用双并联马赫-增德尔干涉仪，包括步骤：使得I子调制器和Q子调制器输出两路BPSK光信号正交合波，调制为QPSK光信号；给I子调制器、Q子调制器的最佳偏置电压上分别叠加频率为f1、f2的小幅周期性扰动，f1≠f2；通过背光探测器MPD获得IQ电光调制器在上述小幅周期性扰动下产生的低速交流小信号，并提取其中的f1+f2和频分量；给π/2调相电极的偏置电压上叠加小幅扰动，提取f1+f2和频分量的反馈波形；对f1+f2和频分量的反馈波形的幅度和相位进行判断，并据此调整π/2调相电极上施加的偏置电压。本发明方法和装置采用低频封装即可，从而提高了IQ电光调制器的可靠性、降低了封装成本。
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