-
公开(公告)号：CN112563878B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202011455817.X
申请日：2020-12-10
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种热调谐半导体芯片及其制备方法，其中，所述热调谐半导体芯片包括：衬底，以及依次层叠于所述衬底上的牺牲层、悬浮层、支撑层和功能层；所述功能层用于向所述热调谐半导体芯片的热调谐电极传递热量；在所述衬底、所述牺牲层和所述悬浮层内形成有悬浮区域，所述悬浮区域为从所述悬浮层的上表面以下、延伸贯穿所述牺牲层、并终止于所述衬底内部的空腔结构，以使位于所述空腔结构上方的所述功能层与所述空腔结构下方剩余的部分所述衬底通过所述悬浮区域隔离；所述支撑层至少包括位于所述空腔结构上方的部分，以支撑位于所述空腔结构上方的所述功能层。
-
公开(公告)号：CN112054842B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202010814336.7
申请日：2020-08-13
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H04B10/079 , H04B10/294 , H04B10/50 , H04B10/572
Abstract: 本申请实施例提供一种用于调节波长的器件，所述用于调节波长的器件包括：光源，用于产生第一光信号；第一分光镜，用于对所述第一光信号的一部分前向光信号进行反射，对所述第一光信号的另一部分前向光信号进行透射；镀有膜层的滤波元件，用于对将所述第一分光镜反射的一部分前向光信号进行滤波；第一光电探测器，用于检测经所述滤波元件后的一部分前向光信号的第一功率，所述第一功率与所述第一光信号的波长有关；第二光电探测器，用于检测经所述第一分光镜透射的另一部分前向光信号的第三功率。
-
公开(公告)号：CN112073124A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010814243.4
申请日：2020-08-13
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种用于调节波长的器件，所述用于调节波长的器件包括：光源，用于产生第一光信号；镀有膜层的滤波元件，用于对所述第一光信号的前向光信号进行滤波；第一光电探测器，用于检测经所述滤波元件后的前向光信号的第一功率，所述第一功率与所述第一光信号的波长有关；背光监测探测器，用于检测所述第一光信号的背散射光信号的第二功率。
-
公开(公告)号：CN107065619A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710339204.1
申请日：2017-05-15
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: G05B19/04
Abstract: 本发明涉及可调谐激光器技术领域，提供了一种可调谐激光器的波长控制电极参数设定方法和装置。其中方法包括设置可调谐带通滤波器中心波长至可调谐激光器待表征波长；根据可调谐激光器波长控制电极参数范围，生成初始控制信号组合，并输入可调谐激光器；根据光探测器分别探测获得滤波光路光强信息P1和参考光路光强信息P2，根据光强信息P1和P2计算误差信号E；分析得到误差信号E的极值所对应的控制电极参数组合。本发明实施例有效的降低了现有技术中通过光谱仪测试带来的耗时问题，提高了可调谐激光器在实际输出波长指定为表征波长时，相应高边模抑制比的控制电极参数组合的确定。
-
公开(公告)号：CN117335261A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202210735820.X
申请日：2022-06-27
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体激光器芯片技术领域，提供了一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法。其中包括衬底和依次生长在衬底之上的多个功能层，具体的：在脊波导的两侧沟道分别刻蚀有导通至衬底的隔热凹槽，所述脊波导下方的至少一个功能层被挖空形成空洞隔热区域，所述空洞隔热区域的两侧与所述隔热凹槽相邻。本发明避免了芯片内部的热量散失，提高了芯片的隔温效果，从而提高芯片的热调谐效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116706678A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310527444.X
申请日：2023-05-08
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供了一种半导体光放大器及其制备方法，该半导体光放大器包括波导结构，该波导结构呈U型，其中：波导结构的U型的两端分别为作为半导体光放大器的输入端和输出端，输入端和输出端均位于半导体光放大器的光学镀膜面，且波导结构相对光学镀膜面倾斜。这样，利用U型波导结构将输入端和输出端设置在半导体光放大器的同一端面(光学镀膜面)，从而在工艺过程中，只需要镀一次光学膜，减少了工艺步骤，优化了工艺流程。另外，采用倾斜的波导结构，还有效避免了光波在半导体光放大器内部发生谐振，减小了光谱纹波。
-
公开(公告)号：CN110376688A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910642284.7
申请日：2019-07-16
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种光模块，包括壳体，位于壳体内的发射及接收光器件、MPO型的光纤接口、柔性电路板和主电路板；发射及接收光器件包括激光器阵列和并行光路组件；其中，并行光路组件包括用于传输输出光信号的第一单模光纤组；柔性电路板，用于形成激光器阵列和主电路板之间的电连接；主电路板，用于向激光器阵列发送驱动信号；其中，驱动信号用于控制激光器阵列发出输出光信号；激光器阵列，用于根据驱动信号发出输出光信号至第一单模光纤组；第一单模光纤组，用于将输出光信号输出至光纤接口；光纤接口，用于将输出光信号输出至MPO型连接器。
-
公开(公告)号：CN106941241B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201610921073.3
申请日：2016-10-21
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
Abstract: 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种基于EBL的激光器加工方法及其应用方法。所述加工方法包括：确定均匀光栅激光器的光栅区结构所对应的第一反射峰的相关参数；获取激光器允许制作的光栅区结构的相关参数区间；根据允许制作的光栅区结构的相关参数区间，求解得到均匀光栅所能取得的最大耦合系数，以及对应制作的光栅区结构的相关参数值；根据第一反射峰的相关参数和最大耦合系数，计算得到取样光栅的最小光栅区长度；将取样光栅的最小光栅区长度和光栅区结构的相关参数值作为激光器光栅区制作的输入参数。本发明利用含最小光栅区长度的取样光栅替代已有的均匀光栅结构，能够减少光刻的总量，改善加工工艺的复杂度，提高激光芯片的生产效率。
-
公开(公告)号：CN106941241A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201610921073.3
申请日：2016-10-21
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
CPC classification number: H01S5/1228 , H01S5/4012 , H01S5/4025
Abstract: 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种基于EBL的激光器加工方法及其应用方法。所述加工方法包括：确定均匀光栅激光器的光栅区结构所对应的第一反射峰的相关参数；获取激光器允许制作的光栅区结构的相关参数区间；根据允许制作的光栅区结构的相关参数区间，求解得到均匀光栅所能取得的最大耦合系数，以及对应制作的光栅区结构的相关参数值；根据第一反射峰的相关参数和最大耦合系数，计算得到取样光栅的最小光栅区长度；将取样光栅的最小光栅区长度和光栅区结构的相关参数值作为激光器光栅区制作的输入参数。本发明利用含最小光栅区长度的取样光栅替代已有的均匀光栅结构，能够减少光刻的总量，改善加工工艺的复杂度，提高激光芯片的生产效率。
-
公开(公告)号：CN116565688A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310468739.4
申请日：2023-04-26
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 湖北光谷实验室
Abstract: 本发明提供一种高性能DFB激光器外延片结构与制备方法，通过在DFB激光器外延片的AlGaInAs混合多量子阱层中设置两种或者两种以上类型的势垒层，不同类型的势垒层的带隙高度不同，不同类型的势垒层的带隙高度于AlGaInAs混合多量子阱层中自下而上渐变式减小，使得空穴载流子从AlGaInAs混合多量子阱层顶端向下遂穿时，上端的空穴更容易遂穿，从而保证空穴能够遂穿至AlGaInAs混合多量子阱层下端，从而提高微分增益，获得相对更高的调制带宽。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
34
records
(took 0.028 seconds)
