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公开(公告)号：CN106410026B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610206776.8
申请日：2011-03-31
Applicant: 欧司朗OLED股份有限公司
Abstract: 本发明涉及有机电子器件的空穴导电层及其应用和有机光电子器件。用于有机电子器件的空穴导电层包含单核二次平面过渡金属络合物掺杂材料被引入到空穴导电基体中，其中所述二次平面过渡金属络合物包含中心原子和配位体，并且所述配位体选自乙酰丙酮、三氟乙酰丙酮、六氟乙酰丙酮、6,6,7,7,8，8,8‑七氟‑2,2‑二甲基‑3,5‑辛二酮酸和2,2,6,6,‑四甲基‑3,5‑庚二酮酸。
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公开(公告)号：CN107078214B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201480082371.7
申请日：2014-12-22
Applicant: 欧司朗OLED股份有限公司
Inventor： 京特·施米德 , 安娜·马尔滕贝格尔 , 塞巴斯蒂安·佩克尔 , 斯特凡·雷根斯布格尔
Abstract: 本发明涉及一种用于制造有机电子组件的方法，其中组件包括至少一个具有基体的有机电子层，其中基体包含金属络合物作为掺杂质，所述掺杂质包括至少一个金属原子M和至少一个结合到金属原子M上的配体L，其中配体L彼此独立地具有下列结构：其中E1和E2能够彼此独立地是氧、硫、硒、NH或NR’，其中R’能够选自：烷基或芳基并且能够与配体L的取代的苯环连接；并且取代基R1彼此独立地选自：具有1个至10个碳原子的分枝或未分枝的、氟化的脂肪烃，其中n＝1至5；并且取代基R2彼此独立地选自：CN、具有1个至10个碳原子的分枝或未分枝的脂肪烃、芳基和杂芳基，其中m＝0至最大5‑n；其中借助经由一个源进行气相沉积进行至少一个有机电子层的掺杂质的沉积，其中所述源构成为，使得掺杂质经历与源的至少一个壁冲击。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107078214A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201480082371.7
申请日：2014-12-22
Applicant: 欧司朗OLED股份有限公司
Inventor： 京特·施米德 , 安娜·马尔滕贝格尔 , 塞巴斯蒂安·佩克尔 , 斯特凡·雷根斯布格尔
Abstract: 本发明涉及一种用于制造有机电子组件的方法，其中组件包括至少一个具有基体的有机电子层，其中基体包含金属络合物作为掺杂质，所述掺杂质包括至少一个金属原子M和至少一个结合到金属原子M上的配体L，其中配体L彼此独立地具有下列结构：其中E1和E2能够彼此独立地是氧、硫、硒、NH或NR’，其中R’能够选自：烷基或芳基并且能够与配体L的取代的苯环连接；并且取代基R1彼此独立地选自：具有1个至10个碳原子的分枝或未分枝的、氟化的脂肪烃，其中n＝1至5；并且取代基R2彼此独立地选自：CN、具有1个至10个碳原子的分枝或未分枝的脂肪烃、芳基和杂芳基，其中m＝0至最大5‑n；其中借助经由一个源进行气相沉积进行至少一个有机电子层的掺杂质的沉积，其中所述源构成为，使得掺杂质经历与源的至少一个壁冲击。
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公开(公告)号：CN106796986A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580053274.X
申请日：2015-09-28
Applicant: 欧司朗OLED股份有限公司
Inventor： 京特·施密德 , 安娜·马尔滕贝格尔 , 塞巴斯蒂安·佩克尔 , 弗洛里安·凯斯勒 , 斯特凡·雷根斯布格尔
CPC classification number: H01L51/0092 , H01L51/009 , H01L51/5024 , H01L51/5088 , H01L51/5092
Abstract: 本发明涉及一种具有基体的有机电子组件，其中基体包含锌络合物作为p掺杂剂，所述锌络合物又包含如下结构的至少一个配体L：式(I)其中R1和R2能够彼此独立地为氧、硫、硒、NH或NR4，其中R4选自烷基或芳基并且能够与R3结合；并且R3选自烷基、长链烷基、环烷基、卤代烷基、芳基、亚芳基、卤代芳基、杂芳基、杂亚芳基、杂环亚烷基、杂环烷基、卤代杂芳基、烯基、卤代烯基、炔基、卤代炔基、酮芳基、卤代酮芳基、酮杂芳基、酮烷基、卤代酮烷基、酮烯基、卤代酮烯基、卤代烷基芳基、卤代烷基杂芳基，其中在适当的残基中，一个或多个不相邻的CH2基团能够彼此独立地通过‑O‑、‑S‑、‑NH‑、‑NR°°°‑、‑SiR°R°°‑、‑CO‑、‑COO‑、‑COR°OR°°‑、‑OCO‑、‑OCO‑O‑、‑SO2‑、‑S‑CO‑、‑CO‑S‑、‑O‑CS‑、‑CS‑O‑、‑CY1＝CY2或‑C≡C‑来取代，更确切地说，使得O和/或S原子不直接彼此结合，同样可选地由优选包含1至30个C原子的芳基或杂芳基来取代(位于末端的CH3基团理解成CH2‑H意义上的CH2基团)。
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公开(公告)号：CN106796986B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201580053274.X
申请日：2015-09-28
Applicant: 欧司朗OLED股份有限公司
Inventor： 京特·施密德 , 安娜·马尔滕贝格尔 , 塞巴斯蒂安·佩克尔 , 弗洛里安·凯斯勒 , 斯特凡·雷根斯布格尔
Abstract: 本发明涉及一种具有基体的有机电子组件，其中基体包含锌络合物作为p掺杂剂，所述锌络合物又包含如下结构的至少一个配体L：式(I)其中R1和R2能够彼此独立地为氧、硫、硒、NH或NR4，其中R4选自烷基或芳基并且能够与R3结合；并且R3选自烷基、长链烷基、环烷基、卤代烷基、芳基、亚芳基、卤代芳基、杂芳基、杂亚芳基、杂环亚烷基、杂环烷基、卤代杂芳基、烯基、卤代烯基、炔基、卤代炔基、酮芳基、卤代酮芳基、酮杂芳基、酮烷基、卤代酮烷基、酮烯基、卤代酮烯基、卤代烷基芳基、卤代烷基杂芳基，其中在适当的残基中，一个或多个不相邻的CH2基团能够彼此独立地通过‑O‑、‑S‑、‑NH‑、‑NR°°°‑、‑SiR°R°°‑、‑CO‑、‑COO‑、‑COR°OR°°‑、‑OCO‑、‑OCO‑O‑、‑SO2‑、‑S‑CO‑、‑CO‑S‑、‑O‑CS‑、‑CS‑O‑、‑CY1＝CY2或‑C≡C‑来取代，更确切地说，使得O和/或S原子不直接彼此结合，同样可选地由优选包含1至30个C原子的芳基或杂芳基来取代(位于末端的CH3基团理解成CH2‑H意义上的CH2基团)。
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公开(公告)号：CN104250269B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201410389275.9
申请日：2008-05-20
Applicant: 欧司朗OLED股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0085 , C07F15/0033 , C09B55/009 , C09B57/00 , C09B57/007 , C09B57/10 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1022 , C09K2211/1029 , C09K2211/1037 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , C09K2211/185 , H01L51/0084 , H01L51/0086 , H01L51/0087 , H01L51/5016
Abstract: 公开了一种磷光金属配位化合物，该化合物包含金属中心原子M和至少一个与该金属中心原子M配位的配体，其中一个金属中心原子M和配体形成六元金属环。还公开了一种含有金属配位化合物的发射辐射的元件，以及一种制备该金属配位化合物的方法。
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公开(公告)号：CN106410026A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610206776.8
申请日：2011-03-31
Applicant: 欧司朗OLED股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0091 , C09B57/008 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/188 , H01L51/002 , H01L51/0032 , H01L51/0092 , H01L51/504 , H01L51/506 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及有机电子器件的空穴导电层及其应用和有机光电子器件。用于有机电子器件的空穴导电层包含单核二次平面过渡金属络合物掺杂材料被引入到空穴导电基体中，其中所述二次平面过渡金属络合物包含中心原子和配位体，并且所述配位体选自乙酰丙酮、三氟乙酰丙酮、六氟乙酰丙酮、6,6,7,7,8,8,8-七氟-2,2-二甲基-3,5-辛二酮酸和2,2,6,6,-四甲基-3,5-庚二酮酸。
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