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公开(公告)号：CN112909532B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202110222208.8
申请日：2021-02-28
Abstract: 本发明公开了一种平面偶极子二元寄生阵列天线，通过在平面偶极子天线两侧增加寄生金属单元，并适当的调整金属单元的长度和位置，便能够较大的增加天线增益，解决了天线尺寸较大和天线结构复杂的问题。此外，所述平面偶极子二元寄生阵列仅有一个馈电端口，通过调整寄生条带金属单元的长度和位置可以改善天线的阻抗匹配程度，提高天线的增益，结构简单，易于加工，可利用PCB工艺生产，成本低，精度高，适合大批量生产，解决了现有技术中的偶极子阵列天线馈电网络设计结构复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN112909532A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110222208.8
申请日：2021-02-28
Abstract: 本发明公开了一种平面偶极子二元寄生阵列天线，通过在平面偶极子天线两侧增加寄生金属单元，并适当的调整金属单元的长度和位置，便能够较大的增加天线增益，解决了天线尺寸较大和天线结构复杂的问题。此外，所述平面偶极子二元寄生阵列仅有一个馈电端口，通过调整寄生条带金属单元的长度和位置可以改善天线的阻抗匹配程度，提高天线的增益，结构简单，易于加工，可利用PCB工艺生产，成本低，精度高，适合大批量生产，解决了现有技术中的偶极子阵列天线馈电网络设计结构复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN214378838U
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202120430413.9
申请日：2021-02-28
Abstract: 本实用新型公开了一种平面偶极子二元寄生阵列天线，通过在平面偶极子天线两侧增加寄生金属单元，并适当的调整金属单元的长度和位置，便能够较大的增加天线增益，解决了天线尺寸较大和天线结构复杂的问题。此外，所述平面偶极子二元寄生阵列仅有一个馈电端口，通过调整寄生条带金属单元的长度和位置可以改善天线的阻抗匹配程度，提高天线的增益，结构简单，易于加工，可利用PCB工艺生产，成本低，精度高，适合大批量生产，解决了现有技术中的偶极子阵列天线馈电网络设计结构复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN118444498B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410693974.6
申请日：2024-05-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02F1/03
Abstract: 本发明提供了基于水热法KTP晶体的电光光束偏转器，包括KTP晶体抛物线型波导基底、锯齿阵列接电金属电极和接地金属电极，锯齿阵列接电金属电极和接地金属电极在KTP晶体抛物线型波导基底的同一水平面上。本发明中的基于水热法KTP晶体的电光光束偏转器，利用水热法KTP晶体最大电光系数r33＝37.815pm/V，最大化水热法KTP晶体电光效应的使用；该结构接电金属电极为锯齿状阵列排列，在外加电压的作用下，可呈现梯度电场分布，实现光束的连续偏转；将接电金属电极和接地金属电极放置在同一平面上，形成行波电极，有效提高光束偏转精度和光束偏转器的稳定性。而且接电金属电极为锯齿状阵列排列，能将电场集中于锯齿尖端，有效控制光束的偏转方向。
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公开(公告)号：CN113270723B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202110620577.2
申请日：2021-06-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种类矩形腔体馈电的超材料结构天线，所述腔体波导的侧方开设有贯通的长缝隙，所述匹配段和所述相位梯度超表面均嵌设在所述长缝隙内，所述腔体波导、所述匹配段和所述相位梯度超表面的中线重合，电磁能量主要通过腔体波导两侧长缝隙进行辐射，通过辐射出来的能量来激励相位梯度超表面，再通过超表面单元辐射的原理，设置相位梯度的方向与能量辐射的方向相反，从而使得相位梯度超表面向自由空间辐射能量，通过调整超材料单元的排布即可任意控制波束的角度。所述类矩形腔体馈电的超材料结构天线结构较为简单，且易于加工，既能实现天线的高增益，又能扩展天线的带宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114583455B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210128355.3
申请日：2022-02-11
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于螺旋馈电结构的超宽带圆极化超表面贴片天线，包括上层介质基板、下层介质基板、第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第一金属层、所述上层介质基板、所述第二金属层、所述下层介质基板和所述第三金属层从上至下依次堆叠。第一金属层设计超表面贴片结构，第二金属层蚀刻十字型缝隙，第三金属层设计螺旋状的微带馈电结构。为了实现高效率辐射性能，上层介质基板与下层介质基本均设置为一定厚度，从而能量能够在介质基板中高效率辐射出去。将超表面与微带天线结合，在实现低剖面的同时，提高了天线的辐射效率并且实(56)对比文件Neha Sharma等.A Rectangular-SpiralMetamaterial based wide band MicrostripAntenna with Modified DGS for WirelessCommunication.2018 IEEE 13thInternational Conference on Industrialand Information Systems (ICIIS).2019,全文.庞靖;姜彦南.平面螺旋天线及其宽频带巴伦的设计.微波学报.2012,(第S3期),全文.
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公开(公告)号：CN114389016A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210088003.X
申请日：2022-01-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于不完整AMC结构实现定向辐射的纽扣天线，包括顶部圆形介质、纽扣天线结构、底部圆形介质、全织物介质基板、导电织物底板、导电织物微带线和不完整AMC结构；金属柱和介质柱组成纽扣天线结构，不完整AMC结构位于顶部圆形介质和底部圆形介质之间，导电织物微带线位于靠近不完整AMC结构的一侧。该天线在不额外增加纽扣天线横向尺寸的条件下，通过添加不完整AMC结构使纽扣天线由原来的全向辐射变为了定向辐射，在减小后向辐射的同时提高了可穿戴纽扣天线的增益。
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公开(公告)号：CN113871212A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111200907.9
申请日：2021-11-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有核壳结构的二氧化锰/碳膜复合材料，通过静电纺丝制备聚丙烯腈膜，通过高温碳化制备聚丙烯腈碳膜，在高锰酸钾溶液中淬火处理获得快速生长的MnO2纳米片，得到核壳结构；所述壳核结构由碳纤维为核，MnO2纳米片阵列为壳。其制备方法包括以下步骤：1）聚丙烯腈膜的制备；2）聚丙烯腈碳膜的制备；3）高钾含量水钠锰矿/碳膜复合材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用，在0–1.3 V范围内充放电，在电流密度为4 mA cm–2时，比容量达到了700‑800 mF cm–2。本发明使用KMnO4作为前驱体溶液，通过淬火处理，不仅可以原位捕获KMnO4溶液中的钾离子，省去钾离子的预嵌入过程，大幅提高材料的比电容；有利于工业大规模生产制备，实现柔性器件的开发。
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公开(公告)号：CN112490649A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011242362.3
申请日：2020-11-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种侧馈式的窄地面宽频带贴片天线及其设计方法，通过调整所述金属地面的宽度可以调整天线带宽，所述金属地面宽度越窄带宽越宽，在所述金属地面的一定范围内均可实现天线的超宽带特征，在带宽范围内，H面图的波束宽度得到充分展宽，在某些频点呈现近全向特征，同时通过调整所述金属地面和所述介质层的长度可以使E面图实现多波束；另外，相较于常规同类贴片天线，可以通过减小所述介质板尺寸实现天线小型化设计。本发明可经过相应调整，解决了现有技术中的贴片天线应用领域窄的技术问题。
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公开(公告)号：CN109580545A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910035608.0
申请日：2019-01-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41 , G01N21/552
Abstract: 本发明涉及一种基于超材料结构的新型微纳折射率传感器，解决的是传统光学折射率传感器由于结构尺寸大，无法实现在纳米尺度进行检测的问题，其结构包括基板和传感单元，其中传感单元位于基板上方并呈等间距分布。所述基板包括两层金属板和一层介质板；所述传感单元包括介质底板和介质底板上设置的两个平行金属纳米圆柱；金属纳米圆柱与介质底板的边缘在纵向相切，所述金属纳米圆柱的长度与传感单元长边的长度一致。所述微纳折射率传感器采用介质底板与第一介质板的材质相同，第一金属板、第二金属板及金属纳米圆柱的材质相同的技术方案，较好地实现了折射率传感器小型化和集成化，可用于以纳米领域的折射率测量为基准的各类传感器中。
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