公开(公告)号：CN108550628A

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201810399461.9

申请日：2018-04-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李琦 ,  张昭阳 ,  李海鸥 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  傅涛 ,  鲍婷婷

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种具有表面电荷区结构的功率器件，包括由下至上依次设置的P衬底I(1)、浮空等位层(4)、P衬底II(2)和漂移区(5)；所述漂移区(5)上设置有N+漏区、漏电极(10)、栅电极(12)、源电极(11)、N+接触区、P阱(7)以及P+源区；所述漂移区(5)的顶部且位于漂移区内设置有一系列横向且等距离分布的N+电荷区(6)而形成表面电荷区。本发明由于在漂移区表面设置一系列等间距的N+电荷区表面电荷区结构，表面电荷区产生界面电荷，增强了电荷区内电场，提高了器件横向耐压；界面电荷同时增强埋层纵向电场和纵向耐压，降低了漏极附近电场，防止器件表面过早击穿；由于采用等间距N+的表面电荷区结构，工艺简单可行，工艺容差较好，与常规CMOS工艺兼容。

公开(公告)号：CN108550628B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201810399461.9

申请日：2018-04-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李琦 ,  张昭阳 ,  李海鸥 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  傅涛 ,  鲍婷婷

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种具有表面电荷区结构的功率器件，包括由下至上依次设置的P衬底I(1)、浮空等位层(4)、P衬底II(2)和漂移区(5)；所述漂移区(5)上设置有N+漏区、漏电极(10)、栅电极(12)、源电极(11)、N+接触区、P阱(7)以及P+源区；所述漂移区(5)的顶部且位于漂移区内设置有一系列横向且等距离分布的N+电荷区(6)而形成表面电荷区。本发明由于在漂移区表面设置一系列等间距的N+电荷区表面电荷区结构，表面电荷区产生界面电荷，增强了电荷区内电场，提高了器件横向耐压；界面电荷同时增强埋层纵向电场和纵向耐压，降低了漏极附近电场，防止器件表面过早击穿；由于采用等间距N+的表面电荷区结构，工艺简单可行，工艺容差较好，与常规CMOS工艺兼容。