公开(公告)号：CN110071270B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201910255256.X

申请日：2019-04-01

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 俞兆喆 ,  魏久兴 ,  徐华蕊 ,  杨道国 ,  蔡苗 ,  朱归胜 ,  颜东亮

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/485 ,  H01M4/131 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明提供了一种氮掺杂氧化亚硅负极材料及其制备方法与应用。所述氮掺杂氧化亚硅负极材料制备方法包括如下步骤：制备预氮化处理二氧化硅粉体和预氮化处理硅粉体；制备含预氮化处理二氧化硅粉体和预氮化处理硅粉体的掺杂混合粉体；对所述掺杂混合粉体进行梯度烧结还原处理。本发明氮掺杂氧化亚硅负极材料的制备方法制备的氮掺杂氧化亚硅负极材料具有良好的电子导电网络，从而提高了锂离子传导速率，改善了硅系负极材料的导电性，提高其结构稳定性和容量保持率。

公开(公告)号：CN110071270A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910255256.X

申请日：2019-04-01

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 俞兆喆 ,  魏久兴 ,  徐华蕊 ,  杨道国 ,  蔡苗 ,  朱归胜 ,  颜东亮

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/485 ,  H01M4/131 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明提供了一种氮掺杂氧化亚硅负极材料及其制备方法与应用。所述氮掺杂氧化亚硅负极材料制备方法包括如下步骤：制备预氮化处理二氧化硅粉体和预氮化处理硅粉体；制备含预氮化处理二氧化硅粉体和预氮化处理硅粉体的掺杂混合粉体；对所述掺杂混合粉体进行梯度烧结还原处理。本发明氮掺杂氧化亚硅负极材料的制备方法制备的氮掺杂氧化亚硅负极材料具有良好的电子导电网络，从而提高了锂离子传导速率，改善了硅系负极材料的导电性，提高其结构稳定性和容量保持率。

公开(公告)号：CN111313002B

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202010125813.9

申请日：2020-02-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 俞兆喆 ,  魏久兴 ,  王参 ,  程燕

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/131 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/04 ,  H01M10/0525 ,  H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/46

Abstract: 本发明提供了一种复合负电极及其制备方法与应用。所述复合负电极包括集流体和形成于所述集流体表面的活性层，所述活性层包括硅基活性层，所述硅基活性层具有相对的两个表面，其一表面与所述集流体结合，另一表面上沉积有至少一层功能负极活性层，且硅基活性层与所述功能负极活性层结合的界面构成过渡层。所述复合负电极具有高的能量密度，且结构稳定，对锂离子传导速率和容量保持率高，其制备方法条件易控，有效保证形成的活性层的化学性能稳定，赋予所述复合负电极大倍率性能良好，安全性能良好，效率高，适用于工业化大规模的生产。

公开(公告)号：CN111313002A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010125813.9

申请日：2020-02-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 俞兆喆 ,  魏久兴 ,  王参 ,  程燕

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/131 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/04 ,  H01M10/0525 ,  H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/46

Abstract: 本发明提供了一种复合负电极及其制备方法与应用。所述复合负电极包括集流体和形成于所述集流体表面的活性层，所述活性层包括硅基活性层，所述硅基活性层具有相对的两个表面，其一表面与所述集流体结合，另一表面上沉积有至少一层功能负极活性层，且硅基活性层与所述功能负极活性层结合的界面构成过渡层。所述复合负电极具有高的能量密度，且结构稳定，对锂离子传导速率和容量保持率高，其制备方法条件易控，有效保证形成的活性层的化学性能稳定，赋予所述复合负电极大倍率性能良好，安全性能良好，效率高，适用于工业化大规模的生产。