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公开(公告)号：CN117170120A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311175349.4
申请日：2023-09-12
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种基于相干光控制的多维度可调谐石墨烯手性超表面。其特征是：它由上下Topas介质层(1)、中间双L形缺陷石墨烯层(2)组成。通过结构化石墨烯，使其对圆偏振光具有选择作用，再利用相干光束入射，实现对左右旋圆偏振光的大的差异性吸收，获得强圆二色性。并且可以对石墨烯层施加电压，通过改变石墨烯费米能级实现圆二色性工作频率可调节。同时，改变两相干光束之间的相对相位差可以控制它们的干涉情况，从而实现对圆二色性振幅的调控。本发明作为透射结构实现的圆二色性效果好，圆二色性在2.4THz处可达到0.8以上，可以同时对圆二色性工作频率和振幅进行调控，并且容易得到逆向圆二色性，具有实际的应用价值。
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公开(公告)号：CN115000721A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210462378.8
申请日：2022-04-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明提供的是一种基于二氧化钒“双T”形宽带可调谐完美吸收器。其特征是：该吸波器由多个吸波单元组成，其主要结构包括底层的金板(1)，介质层(2)，和“双T”形二氧化钒层(3)。通过二氧化钒层和介质层之间的相互作用形成一个0‑10THz波段有良好吸收性能的宽带吸波器，并且可以通过温度改变二氧化钒的电导率，实现吸收效率2％—100％范围调节。本发明具有极化不敏感、结构简单，吸收效果好等优点，吸收效率在90％以上的带宽达到4THz左右，99％以上带宽达到2.7THz，具有十分广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116300248A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310304967.8
申请日：2023-03-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种基于超构表面的相干调制光开关器件。该器件由两层组成，底层为SiO2介质层(1)，顶层为周期性排布的金属结构(2)。周期性金属结构由一对“C”型和中间的一个“I”型组成，材料为金。通过顶层金属结构产生的共振可以实现强烈的吸收效果。一对反向传播的相干光垂直入射到超构表面器件，其中一束为信号光，另一束为控制光，通过调节控制光的振幅和相位即可对光的总输出强度进行调节，实现对信号光的超快全光开关效果。本发明具有开关速度快，调制对比度高，带宽大，能耗低，结构简单等优点，开关时间可以达到飞秒量级，工作频带为1550nm为中心的通信波段，在光纤通信网络中具有十分广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118915363A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410417965.4
申请日：2024-04-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种基于铌酸锂的非线性手性超表面器件。该器件特征：它由三层结构组成，1、底层的SiO2介质层；2、中部铌酸锂薄膜，通过铌酸锂材料较高的二阶非线性系数，产生较高的非线性效率；3、顶部铌酸锂结构，用来激发结构对不同方向圆偏振光的响应，实现较高的圆二色性，从而达到检测的用途。本发明具有非线性效率高，圆二色性效果好，结构简单，易于制造等优点，可用于生物检测、非线性成像和非线性滤波器等，可广泛用于手性共振光子领域。
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公开(公告)号：CN116505284A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310645250.X
申请日：2023-06-02
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是基于太赫兹宽带可调圆极化波手性吸波器。该吸波器由周期性排列的吸波单元组成，其主要结构包括底层的金属板(1)，二氧化硅介质层(2)，C形金属银裂环(3)，和L形二氧化钒(4)。通过顶层二氧化钒‑金属杂化结构和介质层之间的相互作用，形成一个对太赫兹圆极化波具有良好选择性吸收的宽带手性吸波器，并且可以通过改变二氧化钒温度使其电导率发生变化，实现圆二色性峰值高低可调。本发明具有结构简单，宽带可调，圆二色性可逆等优点。该手性吸波器在5.70‑8.55THz的CD值超过0.9，并且相对带宽高达40.0％，具有十分广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116400521A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310304981.8
申请日：2023-03-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种半埋入式狭缝波导的电光调制器，包括半埋入式狭缝波导、氧化铝介质层，石墨烯和衬底，在埋入式狭缝波导上覆盖两层石墨烯，在波导与石墨烯之间及两层石墨烯之间插入氧化铝介质，最后在最上层介质上再加载狭缝波导；通过对石墨烯施加电压来改变石墨烯对光的吸收，以此改变波导输出的光功率，从而实现对光的调制。本发明利用现有成熟的工艺，制作简单，相比其他结构，利用狭缝波导对光的局部拘束来获得更高的消光比，可有效缩短器件长度。本发明提供的利用狭缝波导的电光调制器结构具有小型化，调制速度快的优势，再光通信和光子芯片领域有广泛应用场景。
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公开(公告)号：CN116337815A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310304972.9
申请日：2023-03-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本发明提供的是一种基于SWG波导和游标效应的嵌套微环折射率传感器件。其特征是：它由SOI基底1，具有亚波长周期性的梯形硅柱构成的微环2，具有亚波长周期的矩形硅柱构成的U型嵌套环波导3，硅环4，待测物包层5组成。亚波长光栅波导增强了光场与分析物的相互作用区域，从而提高传感器件的灵敏度。结构基于传统Add‑Drop型微环谐振器，将Through端口与Add端口连接形成U型波导，经过Through端口的光信号产生相位变化再重新加载到Add端口，与原Drop端口的光信号产生干涉。使该U型嵌套微环的自由光谱范围提高到原自由光谱范围的两倍。因传统传感测量偏移量较小，该结构中参考环的存在利用了游标效应，使波长偏移成倍增加。本发明可用于环境监测和生物传感领域。
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公开(公告)号：CN114976672A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210213660.2
申请日：2022-03-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种基于二氧化钒“双T”形可调谐完美吸波器。其特征是：该吸波器由多个吸波单元组成，其主要结构包括底层的金板(1)，介质层(2)，和图案二氧化钒层(3)。通过二氧化钒层和介质层之间的相互作用形成一个0～10THz波段有良好吸收性能的宽带吸波器，并且可以通过温度改变二氧化钒的电导率，实现吸收效率1.8％‑100％范围调节。本发明具有极化不敏感、结构简单，广入射角吸收稳定等优点，吸收效率在90％以上的带宽达到4THz左右，99％以上带宽达到2.7THz，具有十分广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114924430A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210526714.0
申请日：2022-05-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种实现极化无关的电磁诱导透明超表面器件。该器件在x、y方向上呈的阵列结构，其基本单元结构特征是：由二氧化硅1、大石墨烯十字结构2和小石墨烯十字结构3组成。该结构可实现极化无关的电磁诱导透明效果，在入射波的极化方式改变时，无需更换器件，调节石墨烯的费米能级实现对透明窗口和群时延的调节、调制功能。本发明可用于集成光学设备中的调制器、慢光器件和光开关等。
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公开(公告)号：CN114709625A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210462379.2
申请日：2022-04-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明提供的是一种基于二氧化钒可调的强圆二色性手性超表面器件。其特征是：它由金基底(1)、二氧化硅介质层(2)、二氧化钒层(3)、二氧化硅介质层(4)、金裂环谐振器(5)、金三圆弧谐振器(6)组成。由于顶层金属结构与介质层之间发生的相互作用而产生了很强的圆二色性，并且可以通过改变二氧化钒温度来使其电导率发生变化，达到实现圆二色性波峰高度可调节。本发明具有圆二色性效果好，峰值可达0.91，峰值高低和左右可调，圆二色性可逆，且对入射角和极化角不敏感等优点，可用于光学检测和医疗检测等领域，具有十分广阔的应用前景。
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