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公开(公告)号：CN103522626B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310477713.2
申请日：2013-10-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种吸收带宽动态连续可调的太赫兹吸波体。该吸波体的每个吸波体单元，均主要由硅基底、氮化硅层、电极层和多晶硅图案层组成，氮化硅层的上、下表面分别与电极层的下表面和硅基底的上表面相贴，在电极层上设有若干个供锚点通过的孔，多晶硅图案层通过锚点固定于氮化硅层上，所述的硅基底、氮化硅层、电极层和多晶硅图案层的中心轴线重合；多晶硅图案层包括位于同一水平面上的方形支撑块、内方形支撑环和外方形支撑环，位于内方形支撑环和外方形支撑环之间的4根“L”型弹片，以及分别设置在方形支撑块和内方形支撑环的表面上的内方形金属环和外方形金属环。本发明所述吸波体能够对太赫兹波的吸收带宽进行动态、连续调节。
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公开(公告)号：CN103522626A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310477713.2
申请日：2013-10-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种吸收带宽动态连续可调的太赫兹吸波体。该吸波体的每个吸波体单元，均主要由硅基底、氮化硅层、电极层和多晶硅图案层组成，氮化硅层的上、下表面分别与电极层的下表面和硅基底的上表面相贴，在电极层上设有若干个供锚点通过的孔，多晶硅图案层通过锚点固定于氮化硅层上，所述的硅基底、氮化硅层、电极层和多晶硅图案层的中心轴线重合；多晶硅图案层包括位于同一水平面上的方形支撑块、内方形支撑环和外方形支撑环，位于内方形支撑环和外方形支撑环之间的4根“L”型弹片，以及分别设置在方形支撑块和内方形支撑环的表面上的内方形金属环和外方形金属环。本发明所述吸波体能够对太赫兹波的吸收带宽进行动态、连续调节。
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